不建议大家过度解读中芯国际N1N2工艺和上海微电子28nm光刻机

　　不建议大家过度解读中芯国际N+1、N+2工艺和上海微电子28纳米光刻机。
　　一、打个比方
　　农民经过几代人的努力，终于开垦出了完全属于自己家的地，然后农民家的孩子跟地主家的孩子说，你不要牛，我家的地是自己开的，我永远不会求你的。孩子没有想到的是，地主家还掌握着水源，地主家孩子回家一哭，地主切断了给农民家的水。
　　目前夸张的解读往往来自境外媒体和国内自媒体，且不说国内自媒体的意图是什么，境外媒体过度解读的目的恐怕是很明确的。即使你没有，我也可以给你宣传的神乎其神，因为他们想给那些欧美制定政策的人看，而现在正是相关政策出台的关键时期。更多这方面的解释就不多说了，咱们还是回归科普吧。
　　二、N+1、N+2工艺
　　所谓N+1、N+2工艺，其实就是中芯国际14nm工艺的后续工艺，肯定要比现在的14nm工艺更加先进。之所以不叫7nm，第一个原因可以意会不可以言传，该懂的都懂，你要不懂就想想地主；第二个原因是技术上的问题。我们还是多说说技术上的原因吧。
　　没有EUV光刻机，想生产7nm芯片，不是不可以，只是不容易。就好像用5厘米的笔来画1cm的线，直接画是不行的，需要用一些小花招。这些小花招是需要付出代价的，会提高成本，降低良率（合格率），效率也不如人家可以直接画的。
　　当然还有一点很重要，现在的工艺定义，已经偏离了最初定义的初衷。最初的定义，是想通过线宽来定义晶体管密度，线宽越小，晶体管密度越大，每提高一代，晶体管密度大概增加一倍。但是这个经，被台积电和三星给念歪了，线宽就是线宽，跟晶体管密度关系已经不那么大了。只要线宽提高了，哪怕晶体管密度只增加一点点，也叫更新了一代。所以你就知道为啥大家都说Intel的10nm比台积电的7nm工艺性能还要好。
　　除了线宽，值得改进的地方还有很多。所以，N+1、N+2工艺有可能做到性能跟7nm差不多，但线宽不一定是7nm，自然不必要跟着它命名了。至于研发进展如何，我没进过工厂，不知道。企业自己官方网站都不宣传，我们跟着瞎起什么哄啊。
　　三、28nm光刻机
　　28nm光刻机，也就是大家所说的浸没式DUV光刻机，其实并不应该叫28nm光刻机。光刻机的光是深紫外（DUV）激光，波长193nm，并不是28nm。之所以大家都把它叫28nm光刻机，只是因为主要应用到28nm工艺上。浸没式，就是相对于干式光刻来说的，干式光刻目前只适用于90nm及以上工艺，再细的线宽用干式光刻就不划算了（因为得用上刚才说的小花招）。
　　浸没式光刻，通过液体改变光的折射率，提高光学组件的数值孔径，目标是让193nm激光可以画出更细的线条来，可以画比波长的一半更细的线，从而适应28nm工艺的需求。大家都知道，这项技术是台积电工程师提出来的，ASML付诸实践研发成功。
　　至于上海微电子的28nm光刻机，有人说已经研制成功了，也有人说研制失败了。不管成功与失败，有两点很重要。第一，就算研制成功，也做不到国产化率100%，一些关键零部件还是可能被卡脖子。第二，现在最需要的是时间和实践而不是嘴贱。
　　所谓时间，就是你蒸一锅馒头，还是有流程的，不是一张嘴、一动手，馒头就好了。关键是一些核心零部件的国产化替代，更需要时间，而且时间并不掌握在上海微电子手里面。比如电动晶圆台，据报道国内供应厂家提供的产品并没有通过验证，改进需要时间。
　　所谓实践，就是研发成功和站稳市场还有距离，一台精密的仪器，必须经过非常有经验的芯片代工厂拿去生产，经受住生产验证，性能参数跟设计数据一致，故障率低，成本不高，才有机会逐渐占领市场，否则就只能吃补贴过日子。
　　最后总结一下，路漫漫其修远兮，吾将上下而求索。不明真相地夸大宣传，只会让来之不易的成果被限制，前面的路将更加崎岖坎坷。