国产芯片领域破冰，自主攻克重要芯片材料，技术水平赶超美日

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　　一颗智能手机的SOC芯片只有指甲盖大小，看起来毫不起眼。但是想要造出一颗高端芯片，背后至少是百亿美元级别的投资，从研发到生产落地，再到上市销售，需要经历一系列的流程。
　　而在芯片制造过程中，涉及到各种各样的材料更是数量繁多。而国内科研人员攻坚克难，终于在光刻胶方面实现破冰，研制出＂光敏聚酰亚胺光刻胶＂。
　　这是怎样的光刻胶产品呢？国产光刻胶处于什么水平？
　　国产光刻胶破冰
　　光刻胶对于芯片制造的成本并不是很高，和光刻机，刻蚀机等半导体设备相比，光刻胶的成本占光刻工艺不到一成的成本。
　　可是如果没有光刻胶，光刻胶曝光的图形便无法显影的晶圆表面，刻蚀机更加无法进行芯片线路的刻蚀。因为光刻胶可以起到保护衬底，形成曝光图形的媒介作用。
　　但是光刻胶技术主要掌握在日本手中，相关的产业链被日本所垄断。不管是低端的g线，i线光刻胶，还是高端的EUV光刻胶，日本企业提供的产品均位居一线水准，被台积电，三星等争相采购。
　　国内发展芯片制造同样离不开对外进口光刻胶，为了实现自主产业链的持续发展，攻克光刻胶核心技术是件要紧事。值得一提的是，国产芯片在光刻胶领域成功破冰，自主攻克了重要芯片材料——光敏聚酰亚胺光刻胶。
　　根据光明日报消息报道，我国科研人员滕超教授及其团队在2015年定下研究计划，瞄准光电显示和半导体领域所需的光刻胶技术展开破冰。由于大量的核心技术掌握在日本手中，可参考的资料并不多，所以从一开始滕超就面临重重困难。包括在进行LCD间隔物微球项目时，遇上了课题组人员短缺，很多重要的实验数据需要滕超反复验证，不论大小事务几乎都是亲力亲为。
　　甚至为了更好地做实验，在办公室住了一年之久。功夫不负有心人，滕超经过7年的刻苦研发，在自研设计算法，修正测试数据以及大量实验论证中，终于完成了最后一步的突破。
　　2022年6月份，滕超成功研制出光敏聚酰亚胺光刻胶。这是一种新型光刻胶材料，光敏聚酰亚胺光刻胶不仅能满足光刻作用，而且在介电领域也是很好的材料。
　　主要优势体现在缩短工序时间，提高生产效率，为国产芯片产业链的发展提供更多的自主性保证，甚至技术水平已经赶超美日。同类产品中，光敏聚酰亚胺光刻胶发挥出的性能不弱于国外产品。 国产光刻胶处于什么水平？
　　芯片种类繁多，每一种芯片在制造过程中，几乎都会经历光刻工艺。也就是通过光刻机，把设计好的芯片线路图曝光在涂抹光刻胶的晶圆表面。根据芯片制造工艺以及种类的不同，所需要用上的光刻胶品类也非常丰富。
　　主流的光刻胶产品就包括浸没式光刻胶，KrF正负型光刻胶以及ArF光刻胶等等。日本在光刻胶领域起步较早，积累了大量的核心技术，形成了完备的知识专利产权，所以想要打破垄断是需要时间的。
　　大致来看，国产光刻胶处于什么水平呢？以南大光电，徐州博康这些国产光刻胶巨头为例，南大光电自主研发的ArF光刻胶已经通过了自主研发，可用于55nm工艺的光刻胶已经获得了小批量订单。
　　另外南大光电主要的光刻胶产品包括干式光刻胶和浸没式光刻胶，是目前国内能实现范围性批量出货的光刻胶厂商。
　　而徐州博康的光刻胶也在迅速发展，该公司实现光刻胶全产业链的自主性布局，在单体材料，专用树脂等诸多核心领域，均完成了自主化生产作业。
　　以上只是国产光刻胶产业链布局的冰山一角，还有上海新阳，晶瑞股份等等都在聚焦光刻胶材料的发展。也许目前距离日本的EUV高端光刻胶水平还有一段路要走，但是任何的成功都是靠日积月累而来的。
　　尽管还有进步空间，不过目前国产光刻胶的水平已经在成熟制程领域有突出表现了。
　　相比于高端工艺，成熟制程一样有很大的布局意义。在尚未获得EUV光刻机之前，不妨扬长避短，做好自己能够把控的市场，在可控的技术领域加大布局，相信在未来一定能取得更大的成就。
　　总结
　　国产芯片领域再＂破冰＂，继一些国产芯片企业持续深耕之后，科研人员滕超自主攻克重要芯片材料。通过这一研究成果也能看出，在取得芯片进步的同时，人才也是必须要把握的。
　　将来国内发展芯片还会面临大量的人才缺口，希望能有更多像滕超这样的人才取得突破，为国产芯片的发展做出贡献。
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