功率半导体MOSFET国产替代全球份额已占10

　　来源：国信证券
　　智能化与电动化双轮驱动汽车MOSFET大有可为
　　硅基MOSFET：汽车功率半导体的基石
　　在传统燃油汽车中，中低压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）已广泛应用于车中电动功能的区域，是传统汽车功率器件的主要部分，单车用量约100个。
　　随汽车电动化开启，电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，汽车能量流发生变化。新能源汽车不再使用汽油发动机、油箱或变速器，三电系统即电池、电机、电控系统取而代之；相应地，实现能量转换的核心器件功率半导体含量大大增加。其中，中高压MOEFET开始广泛应用于汽车的DCDC、OBC等中压电动部分以协助完成电能的转换与传输，单车平均用量提升至200个以上；此外，随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能均需使用MOSFET，根据英飞凌数据，未来中高端车型中MOSFET单车用量将有望增至400个。
　　MOSFET可通过控制电压实现电路的导通或关断，最终对电流与电压实现调控，是一个快速的电子开关。以平面型MOSFET为例，通过控制漏极和源极、栅极与源极之间的电压，可使得电子在器件中形成沟道，实现器件的导通；通过调节电压的大小可以控制导通电流大小。最终，通过开与关的切换，配合其他元器件，实现直流电与交流电、电流频率、电压高低等状态的切换。因此，降低器件电流传输过程中的损耗（如导通电阻）以提升电能的转换效率是MOSFET器件技术演进的主要驱动力。
　　由于下游应用对耐受电压、开关频率、导通电阻等器件性能要求不同，MOSFET器件发展出了平面型、沟槽型及超级结等不同结构。平面型MOSFET结构由于芯片面积大（耐压高）且工艺简单，可应用于对中小电流的场景；而沟槽型MOSFET相比平面型MOSFET缩短了电流的导通路径（消除了JFET电阻），在低压高电流的场景中被广泛应用；在此基础上，为进一步提升沟槽栅结构耐压能力与导通性能，将电场强度均匀化且用低阻N层设计的超级结MOSFET（SJMOS）出现，并广泛应用于中高压大电流的电源场景中。
　　MOSFET为汽车电能传输的主要器件
　　1、智能化应用：
　　ADAS：安全管理、域控制系统、泊车系统；
　　车身电子：车身电源、中控系统、温度控制、网关系统、智能门锁、照明系统；
　　底盘与安全：悬挂系统、电子辅助转向系统、安全气囊、驻车及防抱死制动系统；
　　信息娱乐系统：显示控制、音频、仪表盘、娱乐功能、远程信息处理。u
　　2、电动化应用（传统汽车与新能源汽车不同）
　　传统燃油汽车：发动机与变速箱管理、内燃机辅助系统、启停系统；
　　新能源汽车：DCDC电源、车载充电器
　　MOSFET在传统汽车中已广泛使用，单车使用量近100个。在传统汽车中，从关键的电控动力转向系统（EPS）、电动制动和喷射系统到加热、通风系统、座椅调节都需要用到MOSFET。以EPS为例，系统需要8个40VMOSFET，6个配合电机完成转向功能，2个配合电源管理芯片（PMIC）实现电路安全断开功能。
　　汽车智能化是未来中低压MOSFET器件的拓展方向。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现。以EPS系统为例，随着对安全性要求的提升，系统要求增加失效可操作（FailOperational）功能，即增加一套冗余系统作为备用，在发生罕见故障时EPS仍可保持工作；相应地，MOSFET用量由8个增加至22个。
　　超结MOSFET是汽车电动化后的动力总成部分的新增器件类型，主要应用于DCDC电源与车载充电器（OBC）中。在动力总成部分，汽车电动化后以电制动的方式使得动力相关的电源如DCDC、车载充电器以及逆变器等功率提升，需要适用于中高压大电流的超结MOSFET、IGBT、SiCMOSFET器件及模块完成电能的高效转换。以华润微提供的汽车MOSFET应用参考为例，在新能源汽车车载充电器部分需增加16个超结MOSFET。
　　新能源汽车OBC、HVLVDCDC中650V以上超结MOSFET被大量选用。在新能源汽车中车载充电器OBC主要利用交流电网提供的电能为高压动力蓄电池充电、HVLVDCDC电源转化器则是将汽车的高压区和低压区连接在一起。根据汽车动力等级与电池大小不同，OBCDCDC电源的器件对应电压大致分为650V、1200V。650V器件以超结MOSFET为主，以英飞凌方案为例，在OBC方案中超结MOSFET用量可拓展至20个，DCDC中约需8个以上。
　　MOSFET主驱动方案广泛应用于30KW以下的A00级车中。主驱动功率在2030kW范围的纯电动A00级车其电机控制器对功率器件要求与车载充电器相近，MOSFET作为低成本方案被选用。目前MOSFET主驱动方案在我国新能源乘用车市场渗透率近15，代表品牌为北汽制造、昌河、奇瑞、五菱、小虎、凌宝、新特、海马、知豆、雷丁、东风风光、荣威、领途、东风风神、众泰、朋克、宝骏、思皓等。
　　汽车智能化与电动化驱动MOSFET市场增长
　　全球MOSFET器件市场2026年将增至89亿美元，其中汽车应用占30；全球汽车功率器件市场将增至108亿美元，MOSFET占比约25。结合Omdia与Yole数据，预计20202026年全球MOSFET市场将从74亿美元增至89亿美元，受益于汽车智能化、电动化，汽车应用占比从25增加至30。
　　20202026年全球汽车（含燃油车）功率器件市场将从48亿美元增至108亿美元（CAGR14。4。），其中汽车MOSFET单管及模块市场将从18。3亿美金增至26。7亿美元（CAGR6。5），IGBT、SiC等器件主要应用于新能源汽车，相对增速较快。
　　中国MOSFET厂商迎发展机遇
　　我国MOSFET器件已有基础，汽车缺芯加速车规级MOSFET国产替代。一方面，全球MOSFET器件厂商前十名中我国厂商占比从2018年3。8提升至2020年10，已有良好的产业基础；另一方面，瑞萨为代表的大厂逐步退出中低压MOSFET部分市场，2020年后疫情带来汽车芯片供需错配，我国新能源汽车加速发展，汽车功率器件供应缺口拉大。在供给优化与需求增加的双重驱动下，国产车规级功率器件厂商开始加速进入汽车供应链。
　　超级结与高压端MOSFET国产化率较低，国产替代仍有较大空间。根据芯谋研究数据，2021年中国MOSFET市场国产化率达到30。5，然而超级结国产化率仅18。1，高压及超高压国产化率均小于30。超级结MOSFET及高压MOS作为汽车MOSFET的主要增量市场，仍为国内厂商未来发力的重要方向。
　　我国MOSFET厂商大部分已推出超结、中高压MOSFET产品，市场份额持续提升中。目前，士兰微（600460）、华润微（688396）、扬杰科技（300373）为代表的IDM公司已覆盖高压超级结产品，并逐步扩大产品占有率：
　　士兰微：已完成12英寸高压超结MOS工艺平台开发；
　　华润微：1H22高压超结产品收入超亿元；
　　扬杰科技：1H22汽车MOS订单实现大幅增长。
　　在设计公司端，东微半导（688261）、新洁能（605111）为代表的MOSFET厂商发展迅速：
　　东微半导：1H22高压超结MOS品收入占比达78。1，车载充电机收入占比超14；
　　新洁能：1H22超结MOS收入近亿元（占11。5），汽车电子收入占比达13。
　　相关上市公司：
　　东微半导（688261）、新洁能（605111）、士兰微（600460）、闻泰科技（600745）、扬杰科技（300373）、华润微（688396）、斯达半导（603290）、宏微科技（688711）、时代电气（688187）等。
　　风险提示：新能源汽车需求不及预期；MOSFET国产替代不及预期。
　　秦亮聊投资