美国传来消息，不用EUV光刻机，造出0。7nm芯片？

　　芯片制程技术的尽头是什么？3nm，2nm以下还能突破更高的制程工艺吗？关于这些问题，相信令很多人感到疑惑，台积电和三星是全球第一，第二大芯片制造商，运用EUV光刻机实现5nm，4nm等高端芯片的量产，这已经是全球顶级的水平了。
　　可是美国传来消息，不用EUV光刻机造出了0。7nm芯片。这是怎样回事？芯片制程还能走多远呢？
　　传美国公司造出0。7nm芯片
　　在传统的芯片制造路径中，台积电，三星等制造巨头需要采购ASML的光刻机设备。这种光刻机主要用于前道光刻，根据技术制程的不同，主要分为DUV（KrF、ArF、ArFi）和EUV光刻机。
　　其中EUV光刻机是目前最先进的设备，一台造价1。2亿美元。但是ASML还在研发更先进的NAEUV光刻机设备，预计将在2024年交付。到时候可以支持2nm芯片的量产。
　　只是NAEUV光刻机的价值比普通EUV光刻机高出了3倍左右，不是一般企业能承受的。只是为了获得更先进的制程芯片，也只能掏钱了。
　　然而台积电，三星辛辛苦苦抢购这些EUV光刻机时，美国企业却突破更先进的光刻工艺，使用电子束光刻技术造出了0。7nm芯片，这是怎么回事？
　　根据9月23日传来消息显示，美国公司Zyvex探索了新的先进光刻方向，基于STM扫描隧道显微镜制造出新的光刻系统ZyvexLitho1，并用其造出768皮米（0。7nm）的芯片，该芯片用于量子计算机。
　　这种电子束光刻机主要创造了全球最高精度的光刻系统纪录，精度相当于2个硅原子的宽度。
　　当然，这类电子束光刻机似乎不能造市面上常见的芯片产品，而是针对量子计算机使用常见提供芯片制造技术。
　　尽管如此，也给人类的芯片制造提供了新的方向，证明并不是只有传统的EUV光刻机才能造芯片，也并非没有比EUV光刻机精度更高的光刻系统。若将来这类电子束光刻机运用到更多的领域，或将改变现有的芯片制造市场格局。
　　而且量子计算机持续发展，伴随着相关量子芯片的探索，不排除会开拓出一条属于量子领域的光刻机产业。芯片制程还能走多远？
　　芯片制造技术发展了半个世纪，世界上第一颗芯片诞生于1947年。芯片的诞生让人类能够将各类电子元器件整合这一个小小的零部件上，从此推动计算机，集成电路和微电子产业的持续发展。
　　时至今日，人类开发的芯片制程已经来到了3nm。由韩国三星公司在今年6月底正式宣布量产，采用了全新的GAA架构工艺，性能较7nm大幅度提升。
　　不过3nm并不是芯片制程的终点，台积电已经明确表态，会在2024年获得ASML的NAEUV光刻机，并在2025年实现2nm芯片的量产。这不禁让人好奇，芯片制程还能走多远呢？
　　要想知道这个问题的答案，需要明白摩尔定律是否到达极限了。英特尔创始人戈登摩尔提出了摩尔定律的概念，认为每隔两年，集成电路可容纳的晶体管会翻倍。
　　也就是说，芯片工艺一直能够保持上升趋势。正是摩尔定律的存在，指导人类芯片工艺不断下探低制程的芯片技术。如今来到了3nm，再往下或许还能延续摩尔定律的极限。只是这个极限究竟在哪，没有准确答案。
　　有人认为摩尔定律已经达到极限边缘，但比利时微电子研究中心（IMEC）研究过，摩尔定律还能延续下去。大约到2028年实现1nm，2029年步入0。7nm工艺，然后到2034年是4埃米（A4），2036年为2埃米（A2）。
　　到了纳米以下，将出现埃米的概念，埃米级别的芯片栅极只有几个原子长度。所以从这样的理论来看，芯片制程还能往下走。
　　若IMEC的研究有准确依据，芯片制程至少还有十五年延续时间，让摩尔定律不断打破极限。
　　当然，理论归理论，现实归现实，最终能实现怎样的芯片制程突破，还得看行业的表现。
　　并且芯片制程到了2nm，1nm甚至埃米的水准，芯片是否会出现严重的性能过剩。现在的5nm芯片已经可以实现每秒万亿次的运算，足以满足大部分的场景需求。再往下如何充分发挥芯片性能，又是一大考验了。总结
　　美国不用EUV光刻机造出0。7nm芯片其实是有特殊条件的，电子束的精度本身就比EUV光刻机要高。
　　不需要像EUV光刻机一样利用多重镜面反射，能量消耗也非常少。所以才能造出0。7nm芯片。至于这类芯片能发挥多大的产业价值，就让我们拭目以待吧。
　　对美国造出0。7nm芯片一事你有什么看法呢？欢迎在下方留言分享。