ASML始料未及，三大光刻和三大芯片新技术出现，分析师尘埃落定

　　由于制造7纳米以下工艺需要用到EUV光刻机，而ASML是EUV光刻机的独家供应商，所以近几年来，ASML赚得盆满钵满，例如其2021年就实现了约70亿美元的净利润，是供应EUV光刻机之前的2017年净利润的3倍，净利润率达到了惊人的32%，然而科技总在高速的发展，ASML也并非可以一直躺赚，现在，三大光刻和三大芯片技术就已经出现，可以说个个都对ASML造成了不利。
　　先说三大光刻技术，ASML虽然是光刻机领域的霸主，但并非ASML就代表了光刻机的全部，实际上，ASML的光刻机，只是光刻机类型中的一种，也是最传统的一种，目前市场上已经又出现了三大光刻技术，首先是X射线光刻机。
　　X射线光刻机在性能上比ASML的EUV光刻机还要优秀，因为X射线的波长可以做到只有EUV的1%，因此在制造先进工艺芯片上，X射线光刻机可以轻松的做到，由于X射线光刻机并不采用投影式，所以设计上并不复杂，而且不需要掩膜，因此对生态链的要求也不高。目前俄罗斯就表示要在2028年生产7纳米光刻机，实际上就是X射线光刻机。
　　除了X射线光刻机，还有电子束光刻机，该类光刻机与X射线在技术上有相同的部分，即都不是投影式，也都不需要掩膜，不过电子束的波长比X射线还要短，因此在制造先进工艺的芯片时会更得心应手，近日老美方面就有一家公司宣称，利用电子束光刻技术实现了0.7纳米的工艺。
　　第三种光刻技术叫做超分辨技术，该技术来自我国的中科院，该类光刻机依然是投影式光刻机，但是对光源的波长并不敏感，例如ASML需要等效134纳米的光才能生产10纳米芯片，而超分辨技术只需要365纳米的紫外光就可以实现。
　　可以看到，以上三种新兴光刻技术，在一定程度上可以替代ASML的光刻机，尤其是先进工艺光刻机，这里之所以说一定程度上，是因为X射线和电子束光刻机的生产效率较低，而超分辨光刻机目前还不能应用所有类型的芯片，不过我们仍然看好超分辨技术，实际上上面我们提到的三种光刻技术，也只有我们的超分辨已经被应用到芯片的生产之中。
　　下面继续说三大芯片技术，第一种就是芯粒技术，该技术将以前的一颗大芯片进行了分拆，形成许多的小芯片，这些小芯片可以采用不同的架构，重点是可以采用成熟工艺，只有很小一部分计算核心的芯片用到较先进的工艺，因此可以大幅度的减少对EUV光刻机的使用。
　　第二种就是存算一体技术，目前芯片的性能一直被认为不够用，实际上是因为数据的获取浪费了太多时间，也就是＂内存墙＂效应，而存算一体将计算和存储合二为一，内存墙问题就被解决了，目前该技术已经被应用到实际的芯片当中，取得了不俗的效果，而且不依赖先进工艺。
　　第三种就是异质异构技术，该技术与芯粒技术类似，但是在材料上也进行了＂拆分＂，芯片不再只采用硅这一种原料，像碳、石墨烯等对芯片性能的提升显著高于硅，而且在制备更小的晶体管上同样具备优势，此外，异质异构技术，可以说基本可以不需要采用先进工艺。
　　我们看到，以上六大技术的出现以及部分已经开始被应用，对ASML形成了一种合围之势，因此分析师表示尘埃落定了，新技术才是未来的发展大方向，因为它们的成本更低、效率更高、更能延续摩尔定律，实际上ASML也已经承认自己的光刻技术几乎走到了尽头，所以未来我们的芯片产业会继续发展壮大，如果您觉得说得在理，感谢给个转发、点赞和在看，让更多的人知道这个好消息。