美光宣布成功绕开EUV光刻机，中国半导体行业是否迎来利好？

　　近日，一条爆炸性的消息传出，美光宣布，成功绕开EUV光刻机，瞬间引发了广泛的关注度。
　　大家都知道，EUV光刻机是当下最先进的光刻机，但我们因为美国的禁令，一直没办法拿到EUV光刻机，倘若有机会绕开它，那对于我们中国半导体行业的发展来说，无疑是一个巨大的好消息。那么具体的情况是怎样的呢？今天我们就来聊聊这个话题。
　　头几天，美光宣布，采用全球最先进1（1beta）制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，并做好了量产准备。
　　1工艺可将能效提高约15，存储密度提升35以上，单颗裸片（Die）容量高达16Gb（2GB）。
　　并且，新产品在性能、密度、能效上都有显著提升，尤其可以改善拍照启动、夜景模式和人像模式的成像速度和清晰度、无抖动的8K视频录制、手机视频剪辑等应用的体验。
　　除了移动应用，1内存产品还具备低延迟、低功耗、高性能的特点，可满足智能汽车、数据中心等应用所需的快速响应、实时服务、个性化、沉浸式体验。
　　另外，1产品已经率先在LPDDR5X上进行出样，1LPDDR5X内存还支持全新JEDEC增强型动态电压和频率调节扩展核心技术，从而更加节能。
　　但是最引人注目的点是，美光表示，1制造工艺无需使用EUV光刻机，DUV光刻机就可以制造。那么这种工艺到底是几纳米呢？
　　实际上，这次美光宣布的1工艺是10nm级别的第五代，前4代分别是1x、1y、1z、1。也就是说，单纯从工艺上来看，本身是不需要使用EUV光刻机的，因为DUV光刻机可以支持7nm以上的工艺制程。所以，这或许就是传闻美光新工艺绕开EUV光刻机的最初原因。
　　那么为什么美光在发布1工艺的同时，要对外透露了目前并不依赖EUV光刻机呢？
　　美光表示，是为了规避技术风险，所以采用了成熟的制造工艺和技术进行1的生产，例如使用多重曝光技术和浸润式光刻技术，这里指的应该就是使用DUV光刻机了。
　　那么前面提到的风险可能包含两个层面，一是类似我们面临的情况，如果拿不到EUV光刻机，一切都白塔。当然，对于美光来说，这种可能性不大，毕竟美光是美国公司。除非，你没能力买到。
　　二是拿不到足量的EUV光刻机，因为这种设备目前还是抢手货，全球各大晶圆厂都在买，可能得排号、看关系，所以如果先期投入大量的资金、人才去开发EUV生产技术，如果没有足够的生产设备，那钱就有可能打水漂了，业务甚至是企业很容易被EUV光刻机拖累、拖死。
　　毕竟光刻机可不像普通玩具，买到手、鼓弄几下就明白怎么玩了。即便是把EUV光刻机摆在面前，想要生产出5nm以下的芯片，也不是一早一夕就能完成的。
　　当下，全球的手机、电脑等数码产品的销量不断下滑，相关的行业巨头们的日子也不太好过，尤其是存储芯片企业，可以说，整个行业的发展显露出一丝危机。
　　例如，根据市场调查机构DRAMExchange的调查数据显示，个人电脑DRAM通用产品（DDR48Gb1Gx8）10月份的平均固定交易价格为2。21美元，与上月的2。85美元相比下降了22。46，为2016年6月以来的最大跌幅。
　　另外，根据美光9月29日披露的68月季度报告中的数据显示，该公司期间收入为66。4亿美元，环比下跌约23，同比下跌约20，净利润率更是跌至22。45，而去年同期的净利润率还曾高达35。7。
　　这都说明，市场在萎缩，利润在减少，所以如果投入过多，将会有很大的风险，稳下来，保证在现有的资源下，能够开发出新一代的产品才是良策。
　　其实看到绕开光刻机的消息，我跟很多朋友一样，都会眼前一亮。这说明大家都在期盼着，有什么技术路线或者方法，可以绕开EUV光刻机，不使用这个被卡脖子的设备去生产制造先进工艺的芯片。
　　心情可以理解，但现实就是现实，美光这次的内存芯片是10nm工艺，使用DUV光刻机多次曝光即可。
　　当然，美光这次的工艺要比竞争对手三星、海力士的复杂一些，因为内存芯片跟处理器芯片的道理是一样的，在同样的面积上，如果晶体管数量越多，计算能力就越强，性能也就越出色。所以，不使用EUV光刻机，在面积差不多的情况下，就需要有额外优秀的设计方案和工艺技术方法，才能保证芯片最终可以获得更好的性能。不过从美光透漏的信息来看，1工艺的产品，性能出色。
　　这或许也可以给我们一些引导，那就是不要刻意的去追求EUV光刻机，就像我刚才说的，只要在现有的资源条件下，能够实现与其他同类产品竞争的能力，就足够了。盲目的追求高端，可能会引发很多问题，毕竟心急吃不了热豆腐，更何况，这不是一盘简单的菜，而是一个满汉全席。
　　好了，今天就聊到这儿，大家有什么想法可以在评论区留言，一起参与讨论。记得关注我，我是老万，谢谢大家，明天我们不见不散。