多晶硅薄膜的制备方法

　　摘要：低压化学气相沉积、固相晶化、准分子激光晶化、快速热退火、金属诱导晶化、等离子体增强化学反应气相沉积等是目前用于制备多晶硅薄膜的几种主要方法。它们具有各自不同的制备原理、晶化机理、及其优缺点。
　　关键词：氢化非晶硅多晶硅晶化
　　Thepreparationmethodsofpolycrystallinesiliconfilm
　　Abstract：Atpresent，Thepreparationmethodsofpolycrystallinesiliconfilm，includingLowpressureChemicalVaporDeposition、SolidePhaseCrystallization、ExcimerLaserAnnealing、RapidThermalAnnealing、MetalInducedCrystallization、plasmaenhancedchemicalvapordeposition，arebeingdeveloped。wereviewtypicalpreparationmethodsofpolycrystallinesiliconfilm、CrystallizationMechanism、theirAdvantageandDisadvantage。
　　Keywords：aSi：，Polycrystallinesilicon，Crystallization
　　1前言
　　多晶硅薄膜同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低制备的优点。因此，对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注，多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类：一类是高温工艺，制备过程中温度高于600，衬底使用昂贵的石英，但制备工艺较简单。另一类是低温工艺，整个加工工艺温度低于600，可用廉价玻璃作衬底，因此可以大面积制作，但是制备工艺较复杂。目前制备多晶硅薄膜的方法主要有如下几种：
　　2低压化学气相沉积（LPCVD）
　　3固相晶化（SPC）
　　所谓固相晶化，是指非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。这是一种间接生成多晶硅的方法，先以硅烷气体作为原材料，用LPCVD方法在550左右沉积aSi：H薄膜，然后将薄膜在600以上的高温下使其熔化，再在温度稍低的时候出现晶核，随着温度的降低熔融的硅在晶核上继续晶化而使晶粒增大转化为多晶硅薄膜。使用这种方法，多晶硅薄膜的晶粒大小依赖于薄膜的厚度和结晶温度。退火温度是影响晶化效果的重要因素，在700以下的退火温度范围内，温度越低，成核速率越低，退火时间相等时所能得到的晶粒尺寸越大；而在700以上，由于此时晶界移动引起了晶粒的相互吞并，使得在此温度范围内，晶粒尺寸随温度的升高而增大。经大量研究表明，利用该方法制得的多晶硅晶粒尺寸还与初始薄膜样品的无序程度密切相关，T。Aoyama等人对初始材料的沉积条件对固相晶化的影响进行了研究，发现初始材料越无序，固相晶化过程中成核速率越低，晶粒尺寸越大。由于在结晶过程中晶核的形成是自发的，因此，SPC多晶硅薄膜晶粒的晶面取向是随机的。相邻晶粒晶面取向不同将形成较高的势垒，需要进行氢化处理来提高SPC多晶硅的性能。这种技术的优点是能制备大面积的薄膜，晶粒尺寸大于直接沉积的多晶硅。可进行原位掺杂，成本低，工艺简单，易于形成生产线。由于SPC是在非晶硅熔融温度下结晶，属于高温晶化过程，温度高于600，通常需要1100左右，退火时间长达10个小时以上，不适用于玻璃基底，基底材料采用石英或单晶硅，用于制作小尺寸器件，如液晶光阀、摄像机取景器等。
　　4准分子激光晶化（ELA）
　　5快速热退火（RTA）
　　6等离子体增强化学反应气相沉积（PECVD）
　　PECVD法沉积薄膜的过程可以概括为三个阶段：
　　1。SiH4分解产生活性粒子Si、H、SiH2和SiH3等；
　　2。活性粒子在衬底表面的吸附和扩散；
　　3。在衬底上被吸附的活性分子在表面上发生反应生成PolySi层，并放出H2；
　　7金属横向诱导法（MILC）
　　20世纪90年代初发现aSi中加入一些金属如Al，Cu，Au，Ag，Ni等沉积在aSiH上或离子注入到aSiH薄膜的内部，能够降低aSi向pSi转变的相变能量，之后对NiaSi：H进行退火处理以使aSi薄膜晶化，晶化温度可低于500。但由于存在金属污染未能在TFT中应用。随后发现Ni横向诱导晶化可以避免孪晶产生，镍硅化合物的晶格常数与单晶硅相近、低互溶性和适当的相变能量，使用镍金属诱导aSi薄膜的方法得到了横向结晶的多晶硅薄膜。横向结晶的多晶硅薄膜的表面平滑，具有长晶粒和连续晶界的特征，晶界势垒高度低于SPC多晶硅的晶界势垒高度，因此，MILCTFT具有优良的性能而且不必要进行氢化处理。利用金属如镍等在非晶硅薄膜表面形成诱导层，金属Ni与aSi在界面处形成NiSi2的硅化物，利用硅化物释放的潜热及界面处因晶格失错而提供的晶格位置，aSi原子在界面处重结晶，形成多晶硅晶粒，NiSi2层破坏，Ni原子逐渐向aSi层的底层迁移，再形成NiSi2硅化物，如此反复直aSi层基本上全部晶化，其诱导温度一般在500，持续时间在1O小时左右，退火时间与薄膜厚度有关。
　　金属诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜具有均匀性高、低、相连金属掩蔽区以外的非晶硅也可以被晶化、生长温度在500。但是MILC目前它的晶化速率仍然不高，并且随着热处理时间的增长速率会降低。我们采用MILC和光脉冲辐射相结合的方法，实现了aSi薄膜在低温下快速横向晶化。得到高迁移率、低金属污染的多晶硅带。
　　8结束语
　　除了上述几种制备多晶硅薄膜的主要方法外，还有超高真空化学气相沉积（UHVCVD）、电子束蒸发等。用UHVCVD生长多晶硅，当生长温度低于550时能生成高质量细颗粒多晶硅薄膜，不用再结晶处理，这是传统CVD做不到的，因此该法很适用于低温多晶硅薄膜晶体管制备。另外，日立公司研究指出，多晶硅还可用电子束蒸发来实现，温度低于530。因此，我们相信随着上述几种多晶硅制备方法的日益成熟和新的制备方法的出现，多晶硅技术的发展必将跨上一个新的台阶，从而推动整个半导体产业和相关行业的发展。
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