实验名称椭圆偏振法测量薄膜厚度和折射率（一）

　　引言：
　　椭圆偏振法广泛地应用于固体基片上介质薄膜的测量。在己有测定薄膜厚度的方法中，它是能测量到最薄和精度最高的一类。测量范围从0。1nm到几个m，比干涉法测量精度高一个数量级以上。它能同时测量薄膜厚度和折射率。
　　椭圆偏振法应用范围广泛，它是表面科学研究的一个重要工具。本实验通过测量若干介质薄膜的厚度和折射率，掌握椭园偏振法测量原理和方法。
　　实验名称：椭圆偏振法测量薄膜厚度和折射率实验日期：2006年3月29日
　　实验原理：
　　当一束光以一定的入射角射到一个薄膜系统的表面时，光要在多层介质膜的交界面发生多次反射和折射。反射束的振幅和位相变化与薄膜的厚度和折射率有关。如果入射束采用椭圆偏振光，例如把激光器发出的单色光变成椭圆偏振光投射到样品表面，则只要观测反射偏振光状态的变化（包括振幅和位相），就可以定出膜层的厚度和折射率。
　　根据折射定律，1和0应满足下面关系：
　　对薄膜硅衬底界面（II），同理有如上述确定的关系式。进而可以算出，任意两相邻反射光间的光程差：
　　由此光程差引起的相邻两级反射光的位相差为2，则：
　　由于薄膜上下表面对光多次反射和折射，我们在空气中看到的是多次反射光相干叠加的结果。引入P波、S波的总振幅反射系数：
　　根据多光束干涉理论，我们可以求得总振幅反射系数：
　　定义，两个参数：
　　和具有角度的量纲，称为椭偏角。tg表征反射光对入射光相对振幅的变化，称为振幅衰减比或相对振幅衰减。表征经过整个薄膜系统后，P波和S波的位相移动之差，P和S表示P波和S波各自的位相移动值，P和S表示P波S波的位相。用G表示反射系数比。
　　此式称为椭圆偏振方程，它表示薄膜厚度d和折射率n；与光偏振状态的变化（，）之
　　间的关系。薄膜厚度和折射率的测量归结为反射系数比的测量。椭偏法测量薄膜厚度和折射率的基本原理就是由实验测得和，再由以上关系定出薄膜厚度d和折射率n1。，两个参数定义式包含多个物理量，测量比较复杂。为了使问题简化，通常把实验条件作某些限制：
　　（1）使入射光为等幅椭圆偏振光，P波和S波振幅相等。这样，只与反射光的振幅比有关，可从检偏器方位角算出。
　　（2）使反射光为线偏振光，即反射光P波和S波的位相差。这样只与入射光的P波，S波的位相差有关，可从起偏器方位角算出。
　　实验仪器和实验方法
　　椭圆偏振光测厚仪简略的结构图及光路图如下图：
　　图中，由于生波片与入射面成450倾斜，故入射光为等幅椭圆偏振光。
　　测量原理和方法如下：激光器发射的单色自然光，经起偏器变成线偏振光，复经补
　　偿器（14波长片）将线偏振光椭圆偏振光，再射到待测样品表面。反射光通过反射光栏
　　进入检偏器，调整起偏器2，总会找到一个方位角P使入射的椭圆偏振光在反射方向变
　　成线偏振光。旋转检偏器7，使其消光。此时检偏器在方位角A的位置其透光方向与线
　　偏振光偏振方向垂直。先由观察窗目测光强的变化，当光强最弱时，才转为光电流观察，
　　光电倍增管将光能转变为电能，通过微电流放大器由微安表表头指示最弱光电流（光强），
　　这样就可以准确判断消光状态，测出消光状态下起偏器和检偏器对应的（P，A）数值，以
　　确定入射椭圆偏振光和反射线偏振光的振幅比和位相差，进而得出被测样品的表面薄膜
　　厚度和折射率。
　　仪器在正常使用时，不要随意调整和校正，特别是14波长片，不允许折下或转动，
　　以免造成测量误差。
　　实验内容：
　　本实验测量样品为Si与Si02。硅是吸收介质，所以具有复数折射率，对波长6328A的HeNe激光，n，3。90。02i，实验时取入射角0700。
　　测量过程中，激光器输出光功率应稳定，为此，激光管必须点亮半小时后才能开始测量。
　　对消光状态的判断，有目测和光电检测两种结构，为了保护光电管，应先用目测，从观察窗观察反射光的光斑。光斑应是完整的园形亮斑，当样品台转动时，亮斑不应转动或出现残缺。旋转偏振器目测至光斑消失或最暗，再转换到光电检测。当光电流指示到最小值后，应把转换旋钮拨到观察窗的位置，再去读取起偏器P和检偏器A的读数（P，A）。光电管的高压取值600900伏，一般放在700伏左右。
　　对于样品上的同一点，有两组起偏器和检偏器的刻度值，使得反射光处于消光状态。对这两组（P，A）进行数据处理。得到和，通过列线图，数据表和计算机程序计算，最后获得厚度和折射率。
　　1。由测量的两组（P，A）计算和：
　　根据仪器选用的座标系，必须把测量出的两组（P，A）通过适当的变换求平均值，然后算出和，步骤如下：A1：在090o之间P1：在0180o之间（b）根据下式将（P2，A
　　2）换算成（P2’，A2’）
　　通过以上变换，P，A的读数范围是：
　　（d）和的计算公式：
　　实验数据表格及数据处理：SiO211。69O67。50Onbsp；168。58O157。54O11。42O67。54O11。56O67。52O
　　134。96O和11。56O
　　将以上参数输入计算机得：SiO2样品（周期）厚度：D1140。66Aring；，D21617。89Aring；，D33095。138Aring；。
　　2。对Si的数据测量与公式计算：
　　Si10。56O67。50O167。52O170。00O12。48O80。00O11。52O73。75O
　　将以上数据代入公式：
　　得：