国产存储芯片发威！内存条价格杀疯了！果链惊现国产3DNAND

　　电子发烧友网报道（文/黄晶晶）根据 IC Insights 统计，2020年全球存储芯片市场规模达 1,267 亿美元，其中DRAM和NAND Flash市场规模较大，占比分别为53%和44%，NOR Flash 市场规模25亿美元，占比为2%，
　　当然，我们国产存储芯片在DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM等芯片皆有涉足。并且，国产存储芯片的参与感尤其强烈。
　　把内存条价格拉下马
　　自2020年合肥长鑫存储的DRAM颗粒上市后，一些国产内存条厂商以其高性价比打入市场。
　　比如早几年，8GB DDR4 2400MHz内存条，采用国外DRAM颗粒，单条的价格都要600元。
　　而查阅最近的内存条价格，可以看到8G DDR4 2666MHz采用长鑫颗粒的内存条低至150元以下。
　　图源：长鑫存储
　　与长鑫存储合作的国产存储产品厂商包括了光威、朗科、金泰克、金百达、七彩虹等等。
　　虽然说DRAM芯片的价格随行就市，不过长鑫存储若要快速打进市场，以同性能产品但更低价格的策略，是必不可少的。
　　这也就能够直接拉低内存条的价格，让用户得到实惠。
　　国产闪存芯片进＂果链＂
　　最近长江存储的128层3D NAND打入苹果供应链的消息被媒体广泛报道。
　　消息称，长存的3D NAND预计最早将于5月开始少量出货。将应用在iPhone SE上面，同时，苹果今年秋季将推出的iPhone 14系列也有望采用长江存储的闪存芯片。
　　苹果供应链的采用，无疑是对长江存储3D NAND产品最有力的认可。
　　图源：长江存储
　　其实之前，兆易创新的NOR Flash就率先进入了苹果的供应链，成为苹果AirPods唯一的NOR Flash供应商。
　　的确，国产存储芯片从无到有，已经是市场上不可忽视的一股力量。
　　国产存储芯片的市场地位并不低
　　据此前报道，在2021年上半年长鑫存储的全球市占已经来到1%，排名第五，长江存储全球市占在2020年下半年达2%。DRAM、NAND Flash市场国产的占比还非常小，但已经取得突破。
　　而在Nor Flash方面，国产芯片的市场情况更好一些。兆易创新在2020年全球NOR Flash市场中市占率达到15.6%，排名第三，仅次于华邦和旺宏。恒烁半导体2020年NOR Flash 收入占市场规模比例为1.50%。
　　在NOR Flash市场，不仅有国内排名第一的兆易创新，还有东芯股份、普冉半导体、恒烁、芯天下、武汉新芯等厂商。
　　如果看最近上市比较积极的存储芯片厂商，有不少都是以NOR Flash为主营业务的。比如，普冉半导体NOR占比达71%，恒烁NOR占比达86.56%，此外东芯NOR业务有18.8%的占比。
　　另外，北京君正表示，2020年度公司SRAM、DRAM、Nor Flash产品收入在全球市场中分别位居第二位、第七位、第六位。
　　EEPROM方面，2020年聚辰股份EEPROM产品份额为国内第一、全球第三的供应商。国内EEPROM供应商还有上海贝岭、航顺等等。EEPROM的市场规模虽不大，但是国产化率相对较高。
　　除了存储芯片企业在上市，我们也看到存储模组厂商的上市进度在加快，江波龙、佰维存储都已准备上市，江波龙已在创业板上会通过，佰维存储科创板上市已受理，据悉时创意也有上市计划。这些存储模组厂商在国内都是比较靠前的厂商，并且竞争力也不容小觑。
　　与国际技术水平逐渐接近
　　放眼全球的竞争，在NOR Flash方面，此前行业内主流NOR Flash产品的工艺节点为65nm，旺宏48nm量产、华邦46nm量产，兆易创新也从65nm往55nm切换。2020年以来东芯、武汉新芯、恒烁、博雅等都实现了50nm/48nm的NOR Flash量产。国内技术水平与国际厂商差距不大，进入50nm时代国产NOR Flash的市场机会更大。
　　图源：恒烁招股书
　　3D NAND方面，长江存储的128层3D NAND已经量产，在量产进度上晚于三星、美光两年。美光在2022年1月宣布开始批量出货业界首款176层QLC NAND SSD。铠侠将在2022年至2023年期间将162层3D NAND作为其主流制造工艺。
　　而长江存储的下一代3D NAND据称是192层。当初从2018年到2020年，长江存储实现了从32层到64层再到128层的技术跃进，也就是说跳过了96层，这样就很快缩短了与国际厂商之间的技术代差。如今长存128层3D NAND量产大量出货，在192层3D NAND研发上与国际大厂的距离更接近。
　　那么长江存储在技术逐渐同步的时候，同样重要的就是更快速地扩大市场份额。
　　国产DRAM没有EUV光刻机之痛
　　根据台媒的报道，合肥长鑫存储将在今年二季度试产17nm工艺的DDR5内存芯片。目前合肥长鑫的17nm工艺DDR5内存芯片良率已经达到了40%。
　　长鑫存储于2018年研发国内首个8Gb DDR4芯片，2019年三季度成功量产19nm工艺的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片。
　　长鑫存储在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的产能目标。2022年的产能目标是12万片晶圆/月，与2021年相比实现翻倍。未来的产能目标是30万片晶圆/月。
　　长鑫存储未来规划将推出10nm制程的产品。
　　值得注意的是，现在，在DRAM芯片的生产上，一些存储芯片大厂陆续启用EUV光刻机。
　　例如，2021年7月SK海力士宣布，公司第一代使用EUV光刻机生产的DRAM正式量产。
　　据介绍，公司旗下第四代 10 纳米级（1a）制程8Gb LPDDR4 移动设备专用DRAM已经量产。作为SK海力士旗下首款采用EUV生产的DRAM，与上一代产品相比，新产品可以将使相同尺寸晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加25%，并能将功耗降低20%。
　　2021年10月12日全球最大存储芯片制造商三星电子宣布,该公司开始使用极紫外光刻(EUV)技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片。
　　此外，美光计划EUV光刻机设备要到2024 年才会投入生产线，首发将会用于1γ 的10 纳米级制程内存上。
　　也就是说，在DRAM芯片的角逐中EUV光刻机同样非常重要，对于国产芯片而言，没有EUV光刻机是一大硬伤。
　　小结：
　　国产存储芯片缺的可能不是技术，而是产品在市场中反复验证，快速规模化，获得更多市场，从而在与国际的竞争中拿到更多的话语权，定价权，同时还起到平衡供应链的稳定与弹性的作用。