台积电官宣2nm研发顺利道合顺大数据infinigo

　　在芯片制造企业中，台积电和三星的技术最为先进，目前也只有这两家企业能够生产制造7nm及以下制程的芯片。
　　其中，台积电是先进制程芯片产能最高的厂商，良品率也高，三星次之。
　　例如，在5nm芯片订单方面，台积电拿到了苹果和华为的订单，而三星仅有高通订单，也就是因为台积电技术，其代工市场份额是更是高达53%，远超三星。
　　为此，三星早就明确表示，其计划在未来10年投资超2000亿美元到芯片领域内，除了提升产能，还用于发展先进的芯片制造技术，目的是在2025年超越台积电。
　　早些时候，三星率先展示了3nm芯片，尽管是采用GAA 工艺制造的储存芯片，但这仍是全球首款3nm芯片，随后其又展示了采用3nm工艺的非储存芯片。
　　根据三星宣布的消息可知，采用GAA工艺的3nm芯片，晶圆的面积效率提升了35%，性能也提升了30%，功耗则降低了50%。
　　另外，三星GAA工艺的3nm芯片比台积电传统的FinFET工艺，在性能和功耗方面更有优势，预计2023年上市。
　　事关2nm芯片，台积电官宣了，已经准备了15年
　　据悉，三星亮相全新的GAA工艺后，台积电方面就明确表示，其在3nm芯片上采用传统的FinFET工艺，预计在2022年量产上市。
　　而台积电3nm工艺是全新的节点，相比5nm芯片而言，其性能将提升11%，逻辑面积提升1.7倍，还将实现在同等性能下，降低 25%-30%的功耗。
　　但在2nm芯片上，台积电曾表示将会采用GAA工艺。
　　然而，就在近日，台积电南京公司负责人罗镇球的公开表态，台积电将会在2022年如期推出3nm制程的芯片，2nm芯片也在顺利研发。
　　但在2nm芯片上，台积电可能不会采用GAA工艺，而是采用台积电自主研发了15 年的 Nanosheet / Nanowire 的晶体管结构，该结构类似GAA，相当于官宣了。并且，台积电对该工艺已经持续研发了15年，已经达到非常扎实的性能。
　　另外，台积电在2nm等制程芯片上，还会改变晶体管的材料，采用二维材料做晶体管，在该材料下生产制造的芯片，能够实现了更搞功耗控制和性能表现。
　　同时，台积电还将采用＂3DFabric＂平台进行芯片封装，这将进一步提升2nm等芯片的性能。毕竟，先进的封装技术，不仅能够解决制程问题，还可以提升芯片性能。
　　这意味着在2nm芯片上，台积电可能就直接放弃了GAA工艺，为2nm芯片亮出了研发15年的法宝。所以才说事关2nm芯片，台积电官宣了，已经准备了15年。
　　2nm芯片路子多
　　就目前了解到信息可知，在2nm芯片上，各大芯片厂商将采用不同的制造工艺，毕竟，这是全新的工艺节点，是前无古人的。
　　其中，IBM已经发布了全球首个2nm芯片制造技术，而该工艺技术比主流的7nm工艺的芯片，性能提升45%，能效提升75%，让电池的寿命提升4倍左右。
　　三星已经在3nm芯片上采用GAA工艺，下一代2nm芯片自然也是GAA工艺，或者是采用IBM的技术，因为IBM自身并不生产制造芯片，而是交给三星、英特尔等。
　　至于台积电，其基本上算是官宣了，将会在2nm芯片上采用自研了15年之久的Nanosheet / Nanowire 的晶体管结构。
　　但是，无论是IBM、三星还是台积电采用2nm芯片制造技术，其都需要ASML的全新一代EUV光刻机做辅助，该光刻机预计在2023年交付厂商研发测试、2024年量产。
　　由于ASML的全新一代EUV光刻机的售价超过了3亿美元，这意味着2nm芯片的成本也将随着上涨。
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