中芯国际正式回应7nm芯片，望周知

　　只要在7nm芯片工艺的基础上，大幅提升芯片产能，那就可以实现芯片的自给自足。目前，7nm工艺芯片的应用范围十分广泛，虽然不是最先进的工艺，但是目前只有台积电、韩国三星掌握了这项工艺。对于7nm工艺芯片，中芯国际正式进行回应，表示FinFET 工艺芯片每月可量产1.5万片，随着客户的不断增加，产能越来越紧张。
　　FinFEF工艺芯片分为14nm、12nm、N+1工艺、N+2工艺四种。其中，N+2工艺芯片预计今年年底可以试产，因此中芯国际的FinFEF芯片产能主要在于14nm、12nm、N+1工艺三种芯片。 虽然N+1工艺芯片与台积电的7nm工艺芯片接近，但是性能存在差距，N+1工艺的研发目的在于低功耗。
　　目前，中芯国际的7nm芯片即将进入风险试产阶段，虽然时间节点有些奇怪，但是集成电路产业没有跨越式发展或弯道超车。 需要注意的是， 14nm至7nm芯片之间还有12nm、10nm芯片，这意味着只有实现N+2工艺芯片的试产，中芯国际才能研发7nm芯片。随着外部环境的不断变化，中芯国际想要摆脱美国10nm以下芯片的技术壁垒很难。
　　在美国的限制之下，许多设备厂商纷纷停止与中芯国际的合作关系。 好在中芯国际已经解决了所有难题，不仅掌握了一些成熟工艺，而且正在提升设备安装能力、缩短采购时长等，从而实现10nm以下芯片的自给自足，这些芯片包括N+1、N+2、7nm三类芯片。至于已经实现量产的FinFET工艺芯片，中芯国际的研发目标依然放在14nm芯片，并且加速提升和突破N+1、N+2、7nm三类芯片。
　　关于7nm芯片的量产时间，英特尔预计明年下半年才能实现自主生产。对此英特尔首席执行官做出了回应，表示公司在7nm芯片方面形成了＂缺陷模式＂，这种模式导致芯片成品率不断下降，不过英特尔可以解决这一缺陷。中芯国际虽然自主研发了7nm芯片，但是类似7nm芯片依然处于试产、量产阶段。
　　与14nm芯片进行比较，N+1工艺芯片的逻辑面积少了63%，性能提升了20%，功耗减少了57%，整体表现类似于台积电的7nm芯片。 由此可见，中芯国际的研发目标在于7nm芯片等工艺。 至于7nm芯片的研发需要放在N+2工艺芯片之后，一是因为半导体行业无法实现弯道超车或跨越式发展，如果没有良好的基础作为支撑，那么一切努力都会付诸东流。
　　二是因为中芯国际为了提升芯片产能，投入了大量资金；三是因为外部环境十分复杂，美国的不断打压和制裁，导致中芯国际的先进工艺芯片受到了严重影响，许多厂商都无法为中芯国际出口产品。 中芯国际之所以能够迅速试产7nm芯片，主要是因为梁孟松的存在，但是三大原因在一定程度上阻碍了7nm芯片的发展。
　　虽然中芯国际没有明确指出，通过N+1工艺就可以制作7nm芯片，但是根据披露的N+2工艺芯片显示，N+1工艺芯片只是在性能方面与7nm芯片十分相似，所以7nm芯片的研发需要放在N+2工艺芯片进入试产阶段之后，这说明了芯片的发展需要一个过渡阶段。 由于许多芯片制造厂商都把大部分资金投入产能的扩充，只有一小部分资金用于先进芯片的研发。
　　因此，我们可以借此机会加速研发芯片，早日实现芯片的自给自足。尤其是N+1、N+2、7nm等10nm工艺以下的芯片。虽然14nm芯片是各大厂商的研发目标，但是N+1、N+2等工艺的芯片产能很低，需要进一步提升。 目前，中芯国际的成熟工艺芯片已经恢复量产，第二季度的营业收入和利润都在增加，但是一些国外公司的订单依然受到限制。
　　对于中芯国际而言，当务之急是与国内的半导体公司进行合作，建立一条完全自主化的芯片生产链，这样才能彻底摆脱美国技术的限制，从而解决我国在半导体市场面临的难题。 虽然先进芯片的研发需要投入大量资金，但是对于国内的半导体行业而言，需要稳定发展。
　　尤其是处于全球缺芯困境之际，晶圆的价格不断上涨，所以中芯国际需要提升芯片产能和营业收入，这样才能朝着更加先进的制程方向前进。相信在利好政策和各大芯片厂商的支持下，中芯国际的N+1、N+2、7nm工艺芯片可以取得更大突破。
　　关于7nm芯片，中芯国际已经正式回应。对此，你有什么独到的见解吗？