三星在下一代闪存上有望追回来,最快今年底明年初推出第八代V-NAND闪存,堆栈层数首次超过200层,之前传闻是228层,现在的说法是224层,相当于在128层基础上再堆栈96层。 消息称,三星的224层闪存性能也很不错,数据速度提升了30%,同时生产效率也提高了30%。 此外,三星的224层闪存技术难度也很高,之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现128层闪存的公司,这次的224层则使用了双堆栈技术,技术挑战十分严峻。