"本文原创,禁止抄袭,违者必究" 作为全球半导体设备制造巨头的ASML公司,几乎全球的光刻设备都是由它提供的。不仅是DUV光刻机占据着绝大多数的市场份额,在EUV光刻设备上更是只有它造得出来,处于垄断地位。 随着芯片紧缺愈演愈烈,为了缓解芯片紧缺的问题,各个芯片大厂在扩厂生产的需求下争相向ASML订购EUV光刻机。 但随着"芯片规则"的修改和全球公共卫生问题的产生,ASML的光刻设备自由出货受到限制,芯片的制造成本也在不但增加,甚至有些光刻零件供应链开始延迟出货。 在此背景下,越来越多的企业开始寻求其他路径,以求绕过EUV光刻设备,制造出先进制程的芯片。英特尔的新型 3D 堆叠封装技术 英特尔就研发出新型 3D 堆叠、多芯片封装技术,该项技术被命名为Foveros Direct。它能够应用于多种芯片混合封装的场景,不仅能够将 CPU、GPU、IO 芯片以相邻或者层叠的方式紧密结合在一起,还能兼容不同厂商的芯片进行混合封装。 2021 年 7 月英特尔更是推出了 RibbonFET 新型晶体管架构,通过将 NMOS芯片 和 PMOS芯片堆叠在一起,在制程不变的情况下,晶体管密度提升了 30% 至 50%。通过这项技术,芯片制程缩小到10nm以下,最多能达到5nm。全新的NIL工艺 日本铠侠公司联合佳能开发出新的NIL(纳米压印微影技术)工艺,它是一种将纳米图案印章转移到晶圆上的技术。 它的工作原理是 基于机械复制的,通过印刷技术与微电子加工工艺相互融合,使用电子束刻蚀的方式,不受光学衍射的限制。能够解决光衍射现象造成的分辨率极限问题,实现让电路线宽变得更窄,理论上来说分辨率会比EUV光刻机要高。 NIL的微影制程相对来说较为单纯,耗电量能比EUV光刻机减少10%,在设备的投资成本上也节省了40%,目前已经可以实现15nm制程的量产并应用到NAND闪存制造上,预计到2025年最高能产出5nm精密度制程的芯片。 适合工业化、低成本且具有高效率的优势让它一经推出就受到业内的重视,越来越多厂家对它感兴趣并进行询问。俄罗斯自研X射线光刻机 俄罗斯初期投入 6.7 亿卢布用于X射线光刻机的制造。目前MIET(俄罗斯莫斯科电子技术学院)已经承接了该项目。根据当地媒体的说法,X射线光刻机性能甚至能与EUV光刻机比肩。 不同于EUV的极紫外技术,俄罗斯自研的光刻机使用的是X射线技术。从光刻设备的发展历程来看,越是高端的光刻设备,波长越短曝光分辨率就越高。 EUV的极紫外波长 为13.5nm, X 射线的波长在 0.01nm 到 10nm 之间,光从波长来看, X 射线光刻机是比EUV光刻机有优势的,不需要光掩模版的直写光刻方式也使成本大为降低。 但X 射线穿透性太强,只能用于直写光刻导致速度太慢,目前MIET面临的最大问题就是在工艺以及效率的提升上。 俄罗斯虽然半导体产业不发达,但在X射线和等离子这方面的技术上有着深厚的基础,要提升工艺实现量产并非不可能。 Chiplet 技术正在进一步得到国际的认可 Chiplet 技术就是我们常听到的"小芯片"技术。目前国际上很多知名企业都在发展"小芯片"技术。 如全球规模最大的芯片代工厂——台积电,就自研出新的3D芯片封装工艺,通过将两枚低制程芯片用先进的3D封装工艺封装在一起,能提升1.5倍的性能。 对于3D封装技术,台积电还在不断进行试验和优化,目前最高已经能产出3nm制程的芯片。只是良品率还不高,成本消耗也更大。但对于能绕开EUV光刻机实现自主生产,就意味着能拥有自主权实现自由出货,这就是值得的。 苹果公司最新推出的M1 Ultra芯片也是将两枚M1芯片并列粘合在一起组成的,经过检测,M1 Ultra芯片的性能甚至比A15还要高出65%。 华为在5G芯片得不到供应之后,也明确表示会采用芯片堆叠技术,用面积换取性能。目前华为已经开发出芯片堆叠封装及终端设备并申请了专利。 在本就是自研芯片的基础上,有了自己的设备,华为要生产出芯片是不难的。 这些企业纷纷进入芯片相关产程自研,就是为了绕开EUV光刻设备的限制实现芯片自由。已经不能自由出货的ASML对各商家来说负面影响是很大的,不仅芯片的增产计划受到影响,可能客户的订单都不能如期交付。 而且,在美方技术的限制下,ASML已经隐隐有被操控的迹象,避免EUV光刻机的限制,也是在挣脱老美在半导体领域的限制。 这也表明,如果ASML无法实现自主出货,终将会被时代抛弃。 对于各个企业纷纷开始自研光刻设备和芯片技术,大家有什么想法呢?欢迎在评论区留下您独到的见解。