Intel的5年计划2025年制程路线图

　　在7月26号的Intel Accelerated活动中，Intel透露了一些有关未来的发展。首席执行官 Pat Gelsinger 在今年早些时候表示，Intel将在 2025 年重返产品领导地位，但尚未解释具体的发展，直到这次活动，Intel才披露其到 2025 年的未来五代工艺节点技术的路线图。Intel相信它可以采取积极的战略来匹配并超越其代工竞争对手，同时开发新的封装产品并为外部客户开展代工业务，除此之外，Intel还重命名了其工艺节点。简要的内容：
　　以下是Intel披露所看到的Intel路线图。
　　任何企业都一样，技术用于生产和进入零售之间是有区别的；Intel将某些技术标注为＂准备就绪＂，而其他技术则是＂加速＂，因此这个时间表只是提到的那些日期。正如您想象的那样，每个工艺节点都可能存在数年，此图只是展示了Intel在给定时间内的领先技术。具体的细节：
　　今年早些时候，首席执行官 Pat Gelsinger 宣布了Intel的新 IDM 2.0 战略，包括三个要素：
　　1，构建 (7nm)
　　2，发展（台积电）
　　3，生产（Intel代工服务）
　　这里的目标是继续致力于Intel工艺节点技术开发，超越目前生产中的当前 10nm 设计，但同时使用合作伙伴（或竞争对手）的其他代工服务来重新获得/保持Intel在其处理器中的地位的公司收入。第三个要素是 IFS，即Intel的代工服务，Intel正在大力承诺向外部半导体业务开放其制造设施。
　　支持生产和发展的会是Intel如何执行自己的工艺节点开发。虽然2021 年第三季度财报电话会议中，首席执行官 Gelsinger 证实Intel现在一天生产的10nm晶圆比14nm晶圆多，标志着两种设计之间的重心转变，但Intel难以从14nm过渡到其10nm 工艺。今年 6 月 29日，Intel还表示，其下一代 10nm 产品需要额外的校验时间，以简化 2022 年在企业系统上的部署。要注意的是与此同时，台积电在出货量上超过了Intel，其等效设计（称为7nm) 及其领先的 (5nm) 设计超越Intel的性能。
　　与之前在 3 月份发布的公告一样，Intel重申其打算在 2025 年恢复在半导体领域的领先表现。这将使该公司在构建自己的产品时能够更好地竞争 (1)，同时也提供更广泛的性能组合及其未来 IFS 客户的技术 (3)。为此，它正在重新调整其未来工艺节点技术的路线图，以更加积极地进行改进，同时其技术更加模块化，以实现更快的过渡。
　　领导这项计划的是 Ann B Kelleher 博士，他去年被任命为Intel技术开发部门的高级副总裁兼总经理。该部门是Intel未来工艺节点技术和增强功能所有研究和开发的来源——它曾经是Intel系统架构集团的一部分，但在 2020 年 7 月被拆分重建为专注于技术开发的部门。Kelleher 博士的背景涉及学术界的工艺研究，随后在Intel担任工艺工程师 26 年，先后管理爱尔兰 Fab 24、亚利桑那 Fab 12、Rio Rancho Fab 11X，然后在俄勒冈州总部担任总经理制造和运营部。她在晶圆厂规模生产和工艺节点研究方面的经验对Intel的未来计划至关重要。在发布公告之前与 Kelleher 进行讨论时，她表示已经在供应商方法、生态系统学习、组织变革、模块化设计策略、应急计划以及将技术开发团队重新调整为更精简的装备方面实施了根本性的变革，以备不时之需执行。其中包括关键人员，例如Sanjay Natarajan担任高级副总裁兼逻辑开发部总经理（Intel最近重新招聘的员工之一）以及Babak Sabi担任组装/测试开发部的 CVP 和总经理。
　　Intel今天将＂到 2025 年的技术领先地位＂定义为每瓦性能指标。当被问Intel这对峰值性能意味着什么，答案是＂峰值性能仍然是Intel战略发展的关键部分＂。
　　Intel重命名节点：＂我的更小＂
　　Intel不仅会披露其未来几年的技术状态，而且该技术的名称也在发生变化，以更好地符合常见的行业规范。＂Intel 10nm＂等同于＂TSMC 7nm＂已不是什么秘密，尽管这些数字实际上与物理实现无关，但在Intel已经有一段时间了。无论出于何种原因，很多行业都没有意识到这些数字实际上并不是物理测量，或许它们曾经是，但是当我们从 2D 平面晶体管转向 3D FinFET 晶体管时，这些数字只不过是一种营销工具。尽管如此，每次出现关于该技术的文章时，人们都会感到困惑，我们已经谈论它五年了，但混乱仍然存在。
　　为此，Intel正在重命名其未来的工艺节点。
　　2020 年，Intel 10nm SuperFin (10SF)：与 Tiger Lake 和Intel的 Xe-LP 独立显卡解决方案（SG1、DG1）一起使用的当前一代技术。名称保持不变。
　　2021 H2，Intel 7：以前称为 10nm Enhanced Super Fin 或 10ESF。Alder Lake 和 Sapphire Rapids 现在将被称为 Intel 7nm 产品，由于晶体管优化，每瓦性能比 10SF 提高 10-15%。Alder Lake 目前正在批量生产。Intel的 Xe-HP 现在将被称为Intel 7 产品。
　　2022 H2，Intel 4：以前称为 Intel 7nm。Intel今年早些时候表示，其 Meteor Lake 处理器将使用基于该工艺节点技术的计算块，现在该芯片已返回实验室进行测试。Intel预计每瓦性能比上一代提高 20%，并且该技术使用更多 EUV，主要用于 BEOL。Intel的下一个至强可扩展产品 Granite Rapids 也将使用基于Intel 4 的计算块。
　　2023 H2，Intel 3：以前称为Intel 7+。 增加 EUV 和新高密度库的使用。这就是Intel的战略变得更加模块化的地方——Intel 3 将共享Intel 4 的一些特性，但足够新来描述这个新的完整节点，特别是新的高性能库。尽管如此，预计会很快跟进。EUV 使用的另一个进步是，Intel预计 2023 年下半年的制造量将增加，每瓦性能比Intel 4 提高 18%。
　　2024 年，Intel 20A：以前称为 Intel 5nm。转向两位数命名，A 代表 Ångström，或 10A 等于 1nm。很少有细节，但这就是Intel将从 FinFET 转向其称为 RibbonFET 的 Gate-All-Around (GAA) 晶体管版本的地方。此外，Intel还将推出一种新的 PowerVia 技术。
　　2025年，Intel 18A：上图中未列出，但Intel预计2025年会有18A工艺。18A将使用ASML最新的EUV机器，称为High-NA机器，能够进行更精确的光刻。Intel向我们表示，它是 ASML 在 High-NA 方面的主要合作伙伴，并准备接收 High-NA 机器的第一个生产模型。ASML 最近宣布 High-NA 被推迟——当被问及这是否是一个问题时，Intel表示不会，因为 High-NA 和 18A 的时间表是Intel希望相交并具有毋庸置疑的领导地位的地方。
　　这里的问题是工艺节点准备就绪、产品发布的生产量增加和实际可用之间的区别。例如，Alder Lake（现在采用Intel 7nm）将于今年问世，但 Sapphire Rapids 将更多地成为 2022 年的产品。同样，有报道称，Intel 7上的Raptor Lake将于 2022 年推出，以在 2023 年用Intel 4上的平铺Meteor Lake取代Alder Lake。虽然Intel很高兴讨论工艺节点开发时间框架，但产品时间框架并不开放。