在去年的闪存峰会上，来自 NEO 半导体公司的 CTO Andy Hsu 首次向外界展示了名为 X-NAND 的新闪存技术，尽管当时这还只是一个幻灯片，如今这个技术已经成功获得标准和技术的专利批核。
　　X-NAND 是由总部位于硅谷的 NEO 半导体公司开发的 NAND 闪存技术，该公司成立于 2012 年，已经获得了 20 多项专利并且还有更多技术在研发当中。
　　X-NAND 的目标是实现 SLC 速度的同时提供 QLC 的存储容量密度，和目前所谓的 SLC Cache 加速 QLC 相比，X-NAND 实现了全盘的 QLC 编程都能维持在 SLC 的速度，即使 SLC Cache 用光后数据直接写到 QLC 空间，速度也只是会下降 10%，这是非常惊人的性能。
　　X-NAND 架构允许一个存储分页缓存执行 16 位乃至更多位元存储块的读写操作，这样的设计可以在不增加总存储分页缓存数的情况让 Y 方向的存储平面下数量达到了 16 倍甚至更多。不仅于此，由于位元存储块的长度和电容缩小到 1/16，随机读取速度和编程校验速度得以显著提升，位元存储块耗电也因此缩小到 1/16。
　　X-NAND 在芯片级采用了 16 个存储平面的设计，相对于目前普通 NAND 采用 2  4 个存储平面的设计而言，X-NAND 能提供四到八倍的并行度。
　　以目前的情况看，X-NAND 可以说是结合了 SLC 的速度优势和 QLC 的容量优势，当然，我相信任何技术或多或少都可能有取舍，X-NAND 是否存在一些难以绕开的限制也是值得关注的。

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