PLC闪存SSD面临重大技术挑战可能需五年后才能看到

　　闪存或者说 SSD 经过多次迭代后，已经从最初的 SLC（每个存储单元支持 1 个位元数据）发展到现在的 QLC（每个存储单元支持 4 个位元数据），包括 Intel 和东芝都表示对下一代的 PLC 闪存有很高的信心，但是 WD（西部数据）对此却不表认同，该公司认为 PLC 在 2025 年之前恐怕都很难得到实际的应用。
　　按照 WD 的说法，PLC 可能需要 6 年后才能变得可行，因为届时的 SSD 控制器才能真正对 PLC 提供较好的支持。
　　从目前的 QLC 来看，该技术的耐擦写能力和性能都比之前的 TLC 有显著的下降，按照这个趋势来看每个存储单元存放 5 位数据的 PLC 无疑在这两个指标上无疑会有更糟糕的表现。
　　西部数据表示，从 QLC 到 PLC 的过渡需时甚长，6 年后才可能可以在一些细分市场里看到 PLC 的身影。
　　TLC 是目前市场上最主流的 SSD 芯片技术，QLC 虽然已经问世，但是懂行的消费者对 QLC 敬而远之，西部数据认为只有待 BiCS 6 NAND 闪存技术和新的控制器/固件问世后才有望改变现状，届时 QLC 的接纳度会大大增加。
　　BiCS 6 采用 162 层堆叠，单位晶圆面积存储密度比目前的 BiCS 5 提高了 70%（折算到封装后的芯片就是提高了 40%），而且速度会从 BiCS 5 的 1066MT/s 提升到 1600MT/s，相当于提高了 60% 的速度。
　　在控制器技术方面，ARM Cortex-R8 内核能支持 4KB LDPC纠错算法，而且依然保持较好的性能，但是下一代的 3D PLC 需要更复杂的纠错算法来维持闪存的耐久度。
　　从 QLC 到 PLC 也就是增加了 25% 的容量，但是为此需要付出很多，目前来看和付出相比，PLC 的收益不高。
　　ARM 2020 年推出了面向下一代 SSD 的 Cortex-R82 内核，性能是 R8 的 1.74 到 2.25 倍，可支持 8 核并行处理，届时闪存控制器厂家将可以籍此推出性能更强大的控制器，然而第一波的 R82 看来是用于嵌入了计算单元的高端存储器件控制器而非廉价的 3D TLC 控制器。
　　PLC 需要甄别 32 级电平，与之相比，TLC 是 8 级，QLC 是 16 级，3D TLC 所需的LDPC 纠错算法需要每 KB 部署 120 位纠错存储位甚至每两 KB 部署 340 位纠错存储位，3D QLC 所需要部署的纠错存储位更多，对于 PLC 来说更甚于此，厂家甚至可能需要改动栅极设计才能应对。
　　PLC 终将降临，但是目前来看需时甚长，未来五年里的 PLC SSD 都是给白老鼠准备的。