台积电3nm将量产?2nm已经在生产线上?预计2024年投产
最近台积电举办了第26届技术研讨会,也正式向外界展现了如今最新工艺制程情况,其中台积电的5nm工艺规划了两代,分别是N5和N5P,其中N5确定引入EUV(极紫外光刻)技术,并且已经在大规模量产之中。同时相较于N7,N5的功耗降低了30%、性能提升了15%,逻辑器件密度是之前的1.8倍。
另外N5P为N5的升级版,仍在开发中,规划2021年量产。相较于第一代5nm,其功耗进一步降低10%、性能提升5%,并且对于高性能计算平台做了优化。
此外台积电还公布了更加先进的3nm以及4nm。
3nm是5nm的迭代产品,而4nm则可以说是5nm的最终极升级版本。台积电表示3nm(N3)将在明年晚些时候风险试产,2022年投入大规模量产。相较于5nm,3nm将可以带来25~30%的功耗减少、10~15%的性能提升。
而4nm(N4)同样定于明年晚些时候风险试产,2022年量产。
不过台积电的脚步并没有止步于此,他们一直在向更加先进制程迈进的道路上。
在大会上,台积电高级副总裁Kevin Zhang正式宣布,将建设新的研发中心,该研发中心中预计将有8000多名工程师投入到一条先进工艺生产线上,专注2nm芯片等产品的研发。
前不久台积电以36.5亿新台币的价格收购了同样位于南科工业园的力特公司的偏振光厂房,不过台积电并没有明确地表示此工厂的用途,外界猜测此工厂应该就是为2nm生产线所做的准备。
不过之前也有知情人士透露,台积电未来将拆除该地现有厂房重建新厂房,来应对索尼打造专属代工厂的需求,并为搭配相关订单,扩充先进封装产线提前做准备。根据之前台积电公布的信息显示,其将在2nm工艺节点导入GAA工艺,并且已经在GAA工艺上取得了重大突破。不过目前来看,台积电2nm工艺的研发也只是刚刚开始,依然需要投入大量资源。