说人话系列英特尔酷睿12代详解(4)摩尔定律之殇
火龙888镇楼
众所周知,骁龙888系列是个笑话。搭载骁龙888的安卓手机,发热大,耗电快,性能峰值上不去,结合在一起用一个词概括:废物。当然这不是高通第一次如此头铁了。上一次这么热,是7年前的骁龙810,因为过热造成体验降级,直接把索尼LG等一堆高价日韩系手机干没了市场份额。而上上次这么热,是13年前,超频到800MHZ的高通MSM7225系列,直接让还能继续战斗1年的windowsMobile6.5系统手机全线提前市场消失。所以说,高通是有原罪的(确信)。
那问题来了,为何骁龙888采用的三星5nm工艺,包括骁龙810采用的台积电20nm工艺,MSM7225系列采用的第一代台积电65nm工艺,都这么热?芯片制程不是越小越好嘛?
摩尔规律
大家都知道一个摩尔定律,其实就是戈登摩尔总结的半导体发展规律,版本很多,但是显然英特尔那边的说法是,每24个月,半导体晶体管规模跟性能要翻一倍。结合本系列前几篇的说法,确实如此嘛,从1960年代开始,芯片晶体管跟频率都在不断增加。半导体工艺也越缩越小,确实如此。
60年来晶体管翻了6万倍
晶体管结构在物理层面足够大的时候,不断缩小是可行的。但是如果晶体管达到一个非常小的规模的话,比如达到一个很小的程度,小到不能阻止电子漏出通道的程度,那这个工艺本身就会发热漏电耗电严重了。而这个节点,并不是眼前的什么1nm之类"先进工艺",而是20世纪初的65nm工艺。从1996到2005年10年时间,65nm工艺困扰了人类很久,始终无法低成本量产65nm芯片,无论IBM,英特尔还是AMD。而当时的大量芯片,都卡在90nm工艺接近10年,比如ARM789全线处理器,游戏机,甚至包括英特尔自己的PXA移动处理器系列。有个常识就是,65nm并不比90nm工艺更省电,甚至静态功耗还要多,这就是高通MSM72XX系如此拉垮的原因。这样可以快进到芯片制造现在面对的更大的一个问题,量子隧穿效应下2nm能不能实现都是疑问。
某百科的原话:隧穿电子是指发生隧穿的 电子(废话)。隧穿效应是一种 量子特性,是电子等 微观粒子能够穿过它们本来无法通过的"墙壁"的现象。这就说的很明白了,当"墙壁"的"缝隙"足够电子乱窜,特别是"墙壁"的"砖头"足够小的时候,那墙壁就失去了作用嘛。65nm时代就有低配版的这个问题出现,解决时间是10年。
量子隧穿
以2000年前后来说,传统芯片制造模式,是以IBM技术指导路线加整个日本工艺技术生产经验定义的。整个芯片内部电路排布,从头到尾都是平面铺开设计的。这也是传统意义上的电路布局嘛。特别是尼康佳能的光刻设备阵列,也是这个思路一路延伸。但是如果芯片缩小到了一个程度,电子泄漏,电路通电会收到互联线的磁场干扰,这会让频率上不去。这就是串扰(crosstalk),以及噪声(noise), 这也是当时英特尔宣布不玩频率战争的一个理由。
如何解决呢?英特尔引入了应变硅+HKMG技术。而AMD引入了掺铜绝缘硅技术,大大降低了芯片内部漏电率跟受到的电磁影响,再加上FPGA公司都在推行可编程功耗(Programmable Power)的方法,这一套软件硬件同步进步,加上标准改变新的供应链体系改变,行成了完善组合拳,从而理论上能把半导体制造工艺一路推进到32nm制程。而比较著名的代工厂台积电也学习AMD的铜互联方案,终于在2007年搞定了65nm工艺。这也有了别的问题,日美半导体标准决战,最终欧美技术胜利,曾经风头无两的日厂从此沦落,截至现在都在液晶硬盘领域苟延残喘。
上了书本的应变硅技术
既然解决了眼前的问题,那就在平面晶体管制造上继续快进。时间来到了2010年,如何进行32nm下一代的设计,英特尔花了很多心思。实际上,平面铺设晶体管在10年前就早已提前宣布了走到了尽头,不过这一天总会来的。英特尔祭出了大杀器——3D晶体管(其实就是FinFET结构啦)。
平面跟3D晶体管对比
实际上,22nm已经无法用正常的命名法看待了。英特尔22nmFinFET工艺的栅极长度并没有比32nm平面制程短多少,但是单位面积集成的晶体管确实翻倍了。 而长期在28nm无法突破的台积电也发现了新大陆,转向了3D结构芯片设计,从而最终倒腾出来了TSMC16nm工艺。
英特尔32对比22nm
看图吧,一目了然。就这么继续堆叠下去理论上甚至可以达到硅基芯片的尽头。英特尔制造14nm芯片,技术路线相比22nmFinFET并没有突破多少,而是采用了大力出奇迹的方法——多次光刻,这就是英特尔(也不止它一家)的多重曝光技术。
理解没?就是真的多次光刻
密度太高,而电路精度不够咋办?好办,缝隙里也刻,不行就多来几次。应付14到14+到14+++++都可行,但是面对10nm以下的精度,光刻次数要翻几倍,消耗的电力,供水,光罩数量越来越可怕。这些都能接受,但理论指导带来不了的是,多次光刻的问题是误差。几十亿晶体管,哪怕一个步骤一个错误,一点儿偏移,芯片就报废了。如果是5次6次曝光呢?良品率上不去,这才是问题,毕竟隔壁台积电都用上极紫外光刻了不是。这也是酷睿连续6代都在14nm徘徊的原因。
本期结束,下期终于要讲酷睿12代的核心设计了!
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