台积电高管说出实情,没有EUV光刻机,也有可能造出5nm芯片
台积电和三星,为何能造出5nm,甚至3nm芯片,相信很多人会不约而同的想到EUV光刻机。 台积电和三星获得了ASML超过70%的高端EUV光刻机,也正是因为如此,有很多人认为,要想造出高端芯片,就需要先研发出EUV光刻机。
在过去的一年中,有很多专家和机构,都对自研EUV光刻机的难度进行了分析。总结起来,有2点, 一方面认为EUV光刻机的零部件覆盖全球数百家企业 ,另一方面, EUV光刻机研发成本高、周期长 ,故而认为自研EUV光刻机的难度很大,甚至有人认为没有可能。
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让人意外的是,关于EUV光刻机和高制程工艺芯片制造之间的关系,似乎很多人都走入了误区。 近日台积电的技术高管林本坚却道出实情,造出5nm高端芯片,并非一定就需要EUV光刻机。
在半导体行业提到林本坚的名字,可谓无人不晓。他曾在IBM工作了22年,于2000年正式加入台积电。值得注意的是,林本坚的主要研发方向,就是芯片制造,其中也包括了光刻机技术。
2002年,林本坚通过多次技术尝试和试验,提出了沉浸式光刻技术,并在业内引起了强烈反响。 林本坚承认,如果利用多重曝光技术,可以在没有EUV光刻机的前提下,做出5nm芯片。
在林本坚看来,EUV光刻机不是5nm芯片的必需设备,虽然多重曝光技术的成本略高,但这并不影响这条技术路线的可能性。
EUV光刻机就像是高端芯片制造的高速公路,可以在保证芯片良率的同时,大大降低高制程工艺芯片的制造成本。 而林本坚提到的多重曝光技术,则更像是普通公路,速度虽然慢点,到同样可以到达目的地。
可能很多人会认为,这种过时的沉浸式光刻技术没什么用,至少没法与拥有EUV光刻机相提并论。
要知道,直到目前为止,沉浸式光刻技术,依然被广泛地应用在台积电的芯片制造工艺中。这不得不让我们去思考另外一个问题, 既然EUV光刻机的研发难度很大,周期会很长,我们为何不利用这种多重曝光技术,来先解决5nm芯片的有无问题呢?
毫无疑问,林本坚的技术成果,给国内自研芯片提供了一种新思路。 我们既要保持研发动力,继续在光刻机等半导体设备上继续向前,另外一方面,我们也应该变换一种思维,例如林本坚提到的沉浸式光刻机,从技术路线上,就与台积电形成差异化。
这些通信技术、半导体技术的快速发展,包括家电、汽车等产品,对芯片的工艺制程,会要求越来越高。EUV光刻机的障碍迟早会被突破,但我们也要有创新的半导体生产思路, 既不能在市场被卡脖子,也不能在专利技术上,让自研技术的发展受到制约。
有了台积电高管林本坚的这席话,我们有理由相信,在EUV光刻机到来之前,我们就有希望实现5nm芯片的制造。
台积电之所以能成为半导体代工巨头,一方面是张忠谋的眼光、魄力,以及台积电多年积累的基石实力,另一方面,ASML的EUV光刻机供应,也从另外一个角度,助推了台积电的成功。
沉浸式光刻技术并不是什么新概念,包括中芯国际在内的企业,应该在这方面进行大胆的尝试,并提前布局技术方案。
张忠谋曾经说过,举国之力,也无法造出光刻机。如今在仔细品位这句话,张忠谋似乎在有意进行错误的引导。为何一定要先造出高端光刻机,才能造出5nm芯片呢?
在科学技术研发的这条道路上, 始终要相信技术创新的价值,我们可以去研究ASML的光刻机和相关技术积累,但我们也要时刻保持技术创新的思维。
如今台积电的3nm芯片已实现量产,2nm芯片也呼之欲出,全球半导体产业将迎来一次全新的变化。
如果调整研发方向 ,中芯国际等半导体企业,加大在沉浸式光刻技术上的研究,你认为没有ASML的EUV光刻机,自研的5nm芯片,能提前到来吗?