美韩垄断97全球市场，中国巨头攻克重要技术，实现从0到1

　　在芯片这一领域，其实还有很多的细分领域，例如，存储芯片，射频芯片以及NAND闪存芯片等等，然而，大部分的芯片细分领域都是被国外的企业长期垄断，其中NAND闪存芯片就是一直被美国和韩国这两个国家长期垄断，而中国却是在这一领域占据的份额比较少。
　　但是，这一局面就要被打破了，中企刚刚传来好消息？我国已经实现对于NAND闪存芯片的重大突破？而且还进行了一项首创？ 美韩企业垄断全球97%的市场
　　在全球NAND闪存芯片领域，美国和韩国的相关企业可谓是该领域当之无愧的佼佼者，因为这两个国家的相关企业已经垄断了全球NAND闪存芯片领域将近97%的市场份额，几乎可以说是没有别的企业可以与之相提并论。
　　一直以来，美国和韩国的三星、海力士、美光以及英特尔都是NAND闪存芯片领域的巨头，并且是相互竞争，形成了这几家公司垄断的格局。从2019年开始，这些NAND闪存芯片领域的几大巨头都陆续地跨进了100+层时代 。
　　三星公司在2019年6月，推出了第六代V-NAND100+层TLC3D NAND，并且在8月正式官宣机遇该技术已经批量生产250GB SATA SSD，同年11月实现了第六代512GB TCL 3D NAND的量产。
　　此外，据韩国的相关媒体报道，三星目前正在开发具有160层堆栈的第7代V-NAND闪存，并且将采用双堆栈技术来达到更多的堆栈层，以此来实现扩大容量和使用范围。遗憾的是，三星公司并没有公布160层的3D闪存的详细技术信息。
　　SK海力士在2019年6月公开发布128层4D TLC NAND，而且在11月就完成了向主要客户交付128层1TB TLC 4D NAND的工程样品，这些样品包括TB UFS3.1、2TB客户端CSSD，16TB企业级ESSD，2020年下半年已经实现大规模的量产出货。
　　近日，SK海力士宣布推出基于首款128层1TB TLC4D NAND闪存的企业级SSD—PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。值得一提的是，也是全球首款在商用方案中应用128层堆叠1TB TLC4D NAND闪存芯片。
　　至于美光公司，则是在2019年10月将第一批第四代3D NAND芯片流片出样，在2020年的第一季度已经开始批量生产第四代128层3D NAND，然后在第三季度开始出货。预计在2021年，3D NAND将全面进入100+层时代。
　　英特尔在过去的10年里一直致力于该技术的研发，2018年，英特尔64层1024GB QLC3D NAND问世，2019年，英特尔已经升级到96层，而且进一步的提升整体存储密度，随后，英特尔更是推出了144层QLC3D NAND。
　　依照目前的情势来看，128层3D NAND已经开始大量进入企业存储市场，如果不把握好技术升级带来的机会，那么就极有可能在新的一轮市场竞争中掉队。从而失去与其他巨头竞争的资格，自此衰落退出NAND闪存芯片市场。 中国巨头攻克重要技术，倪光南院士为此点赞
　　在NAND闪存芯片这个领域，中国的企业不再是边缘型企业了。据证券时报8月23日的最新报道，中国企业中天弘宇在发布会上指出，该公司刚刚发布了一项先进存储技术，并且拥有国内和国际双重完整知识产权。
　　此外，该技术还运用了二次电子倍增注入浮栅现象，重构了闪存存储单元结构，值得一提的是这个技术在国际上还是属于首创。中国工程院院士倪光南对此进行了点赞评论，中天弘宇这次曝光的先进存储技术堪称一项重大发明。
　　该技术对中国半导体行业来说，有着极为重大的意义，这不仅仅是实现了国内存储器底层技术的从0到1的突破，而且对半道义国产化有了徐进作用。值得一体的是，中天弘宇并非是孤军奋战，近年来，涌现的半导体企业长江存储的实力也是不容小觑。 长江储存，实现重大突破
　　在中国的NAND闪存芯片市场，2019年半导体存储器国内市场规模为415.8亿美元，占据全球将近35%的销售额，然而，纵然我国拥有如此广阔的市场规模，却是依然在依赖于进口，都是被美韩企业垄断了。
　　在现状和困境的双重压力之下，国内的一些相关企业，相继发力。其中，NAND Flash作为存储芯片的重要产品之一，是长江存储重点攻克的领域所在，不过好在皇天不负有心人，在经历了很多的挫折与困难之后，长江存储终于迎来了新的里程碑。
　　4 月 13 日，长江存储宣布 128 层 QLC 3D NAND 闪存（X2-6070）研发成功，且已在群联和联芸两家控制器厂的 SSD 上通过验证。
　　据长江存储介绍，X2-6070 是业内首款 128 层 QLC 规格的 3D NAND 闪存，也是我国首款 128 层 3D NAND 闪存芯片，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度（QLC，4 bit/cell），最高 I/O 传输速度（1.6G/s）和最高单颗 NAND 闪存容量（1.33Tb），是上一代 64 层单颗芯片容量的 5.33 倍。
　　X2-6070 将率先应用于消费级 SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来 5G、AI 时代多元化数据存储需求。此次同时发布的还有 128 层 512Gb TLC 规格闪存芯片（X2-9060），以满足不同应用场景的需求。
　　长江存储预计，128 层产品今年底到明年上半年量产，维持明年单月 10 万片产能目标不变。当下，长江存储产能为 2 万片 / 月， 12 寸晶圆厂的 64 层芯片产能还是属于爬升期，处于 64 层 eMMC、UFS、SSD 产品最后的研发阶段。
　　此外，得益于 Xtacking 架构对 3D NAND 控制电路和存储单元优化，128 层系列产品中，Xtacking 已全面升级至 2.0，释放 3D NAND 闪存潜能。长江存储填补了我国在 3D NAND 闪存芯片领域的空白，它是目前中国唯一能够在该领域实现量产的厂商。其是当今国际闪存市场的主流技术，众多韩国闪存大厂也刚量产不久。 写在最后
　　对于国内的存储产业来说，想要打破美韩企业的垄断，必须大力发展相关的技术，只有这样，才能让我国存储产业逐渐将美韩企业赶出中国，并且在国际市场上与这些企业进行竞争。对此，大家如何看待？欢迎留言和评论！