每年花800亿美元进口，99中国市场被美韩垄断，存储芯片终于突破

　　芯片是中国发展的致命弱点，在全球芯片短缺的情况下，全球市场都损失惨重，近日，就连大众汽车的 CEO 迪斯，也在接受美国媒体 CNBC 采访时表示，由于芯片短缺，大众甚至可能实去中国市场，中国作为芯片进口大国，芯片短缺的影响对中国来说同样巨大，尤其是那些被其它国家垄断的芯片，近些年来，虽然我国在不断突破封锁，在芯片制造方面，已经能够生产 7 纳米的芯片，但是依旧有很多芯片我国无法生产，原因在于芯片的设计技术上，比如说存储芯片。
　　存储芯片绝对是最重要的芯片之一，全球存储芯片的市场，占整个半导体市场份额的 20% 到 25% ， 2019 年，全球半导体市场规模为 4123.07 亿美元，存储芯片就占了 1064.4 亿美元，存储芯片绝对是半导体发展的驱动力，然而，他却是中国半导体市场的一块芯病。
　　中国作为全球最大的存储芯片市场，但是 99% 的存储芯片都依赖进口，我国每年在芯片进口方面需要花费 3000 亿美元，其中存储芯片进口就要花 800 亿美元，超过四分之一，这么一块巨大的市场，全部被外国企业拿走，对我国绝对是巨大的损失，好在，我国近期终于在存储技术上有所突破，今天，就让我们一起来看看，中国存储芯片如何突破国外企业的围追堵截。
　　存储芯片市场主要包括 DRAM 芯片和 NAND 芯片，在整个存储市场中， DRAM 芯片占据 53% 的市场份额，剩下的闪存芯片占据 45% 左右，其中， NAND 闪存芯片的比重约为 44% ，我国存储芯片技术的突破，也主要是在 NAND ，闪存芯片上，它是全球最通用的闪存芯片，是构成电脑硬盘和内存设备的主要零部件，而在很长一段时间里，这部分市场基本都被美国和韩国垄断，其中，韩国的 SK 海力士，三星占了大头，美国的镁光也占了一部分市场，这三家企业占全球市场的 95% 以上，根据民生证券的统计，中国在 NAND 市场占比不超过 1% ，在科技展愈演愈烈的今天，这种垄断对中国来说非常危险。
　　其实，早在十几年前，我国依旧一直在开发自己的闪存，然而，无论是研发还是制造，对中国来说都非常困难，再加上已经有现成的芯片可以购买，所以中国再很长一段时间里，闪存芯片的技术发展非常缓慢，虽然也有国产的闪存，而且价格也比进口的低，但是由于技术从差距，在性能上要差了很多，因此，国内的闪存一直不见起色。
　　一直到最近几年，我国在芯片上一直受到限制，闪存芯片才引起国内市场的重视，再加上政府也出台了一系列的发展政策，还有大量的资金扶持，我国终于取得长足的进步，打破了垄断的格局。
　　打破 NADA 技术垄断的企业是我国的长江存储，它是中国半导体巨头紫光集团旗下，致力于研究存储技术的公司，它虽然成立才短短 4 年的时间，但是却再这一领域取得惊人的成就，目前，最先进的存储技术，是三星和 SK 海力士的闪存技术，已经优化到 192 层，而长江存储已经优化到 128 层，虽然距离这两个公司还有一定的差距，但是足以在市场上冒头，对于那些对存储技术要求不高的电子设备来说，这样的芯片已经足够使用，这已经算是在一定程度上，打破了美国和韩国的垄断，虽然在顶尖设备上，依旧需要进口美国和韩国的存储芯片，但是中国的存储也足以立足于中低端市场，更为重要的是，目前长江存储才仅仅成立 4 年， 4 年时间就有这样的成就，足以说明该公司有非常强大的研发实力，未来逐渐追杠上三星和 SK 海力士，并不是完全没有可能，甚至有希望超越。
　　而且，中国不仅只有一个长江存储，  兆易创新、合肥长鑫、福州晋华  等企业，在存储芯片的技术上都已经崭露头角，中国有望在 5 年内，提高存储芯片的技术水平，以及本土产品的自给率。
　　未来，全球存储芯片市场，对中国半导体行业也是一个机会，根据 IC ， Insights 的数据显示， 2021 年，全球存储芯片市场将达到 1552 亿美元，到 2023 年将会突破 2000 亿美元，川财证券预测，到 2024 年，我国存储芯片市场规模，将突破 500 亿美元大关，到 2060 年，中国存储芯片市场规模，有望达到 5598 亿元，占全球市场的比重将达到 40% 左右，中国拥有庞大的市场，就意味着有着巨大的机会，这会激励着中国企业不断加大在这上面的投入，这同样会带动中国存储技术的发展。
　　还有一个非常有利于我国的条件，那就是现在的 NAND 芯片，制程基本已经达到极限了，摩尔定律也逐渐到达尽头，存储芯片发展到 20 纳米 -10 纳米这个制程，已经很难拿在制程上有所突破，厂商只能够另辟蹊径，将原本的 2D 芯片转向 3D 发展，通过芯片的堆叠技术，来增加芯片的存储容量，堆叠的层数越高，容量也自然就越大，这给了中国赶超的机会。
　　我们在发展相应技术的同时，能够直接往 3D 堆叠技术上发展，如果我国在堆叠技术上实现突破，也许不用在存储技术上完全超越，就能实现相同的性能，而一旦存储技术实现突破，就能实现完全地赶超，而且，存储芯片标准化程度高，品牌化程度弱，因此只要在技术上达到企业的要求，很容易替代其它公司的产品，这也给中国公司的反超提供了机会，值得一提的是，除了在 NAND 芯片上的突破外，我国在 DRAM 芯片上，也已经取得一定的进展，有望在今年突破 1Z 阶段，在这种情况下，只要中国企业加快研发速度，非常有希望能够追上顶尖的企业。
　　相信要不了多久，我国就能真正突破封锁，即便是在高端市场，也不用依赖外国的企业，这也是我国半导体发展的最终目标。