性能提升30，功耗下降50！芯片龙头官宣3nm，比台积电3nm更先进

　　已经是全球第二大芯片代工巨头的三星，并不满足于如今的位置，其一直想要超越台积电坐上全球第一的位置。
　　为此，三星一直想要抢先台积电，公布下一代先进芯片制程。在5nm制程上，三星慢了一步；而在接下来将亮相的3nm制程芯片上，三星则有超越的希望。
　　在日前举行的＂三星代工论坛2021大会＂上，三星电子不仅亮出了全新的17nm LPV工艺，更透露了有关3nm芯片的最新消息。据了解，三星电子的新一代3nm芯片将在2022年上半年实现量产。
　　这一时间虽比三星电子原本计划中的2021年下半年量产要晚，但比台积电计划的2022年年中量产还是更早。而且此前还有消息称，台积电3nm将延期发布。
　　也就是说，在3nm芯片制程上三星有望抢得先机，实现对台积电的超越。若真如此，凭借着先发优势三星电子有望抢下更多的客户，进而提升自己的市场占比。
　　而且值得注意的是，在3nm制程技术上三星电子更为激进，这就使其产品更为先进。
　　与继续沿用更为成熟的FinFET技术的台积电不同，三星电子认为FinFET晶体管结构的潜力已经不多，因此其率先在3nm工艺中引入了GAA（全环绕栅极晶体管）技术。
　　与FinFET相比，GAAFET架构的晶体管拥有更优秀的静电特性，且沟道控制能力更强。因此，GAA技术能实现更小芯片尺寸，从而带来更强悍的性鞥呢提升。
　　据了解，三星电子为了发挥GAA的优势，补足其短板费了不小的功夫。如今来看，三星电子的种种努力并没有白费。
　　在日前举行的论坛中，三星电子表示，其3nm GAA有望让面积实现35%的缩减，而性能则大增30%，同性能下功耗更是降低50%。这一数值十分亮眼，料想其推出的芯片产品表现也不会差。
　　据悉，在2022年年初时，3nm 3GAE（低功耗版）有望进入量产阶段；而在2023年年初，3nm 3GAP（高性能版）则有望实现量产。
　　也就是说在3nm芯片上，三星芯片的量产时间与质量，都有望优于台积电。若真如此，明年或许便是三星电子的圆梦时刻，其有望从台积电手中抢过苹果、高通等客户。
　　有了在3nm制程上的经验，三星电子在2nm制程上的GAA技术将更是成熟，三星研发起来也将更加得心应手。因此，在2nm制程上三星电子的进度也有望不输台积电。
　　据了解，三星电子2nm产品有望在2025年实现量产，令人期待。
　　如今来看，台积电正面临着不小的威胁。虽然在芯片代工市场中，台积电以超半数的市场份额，地位看似稳固。
　　但其实，三星电子、英特尔等都对台积电虎视眈眈，且二者都有着不俗的实力。这样看来，台积电在未来发展中，还是有着许多的挑战。
　　面对这样的状况，台积电将如何应对，这令人十分期待。同时，三星3nm能否按照计划如期问世，也让我们拭目以待。