芯片反击开始了！官媒正式发声中国用芯片封装技术绕过美禁令

　　芯片性能随着制程的不断提升而逐步放缓，到了4nm，3nm工艺，进一步突破摩尔定律极限，外界以为芯片性能可以呈现指数级增长，可是性能提升的幅度并没有超出预期，而且伴随而来的是功耗问题。
　　另外美国芯片规则的存在，让国产芯片需要做更多的努力。有官媒对此正式发声，称中国用芯片封装技术绕过美禁令。
　　什么是芯片封装技术？芯片封装能延续摩尔定律吗？
　　芯片封装的反击
　　芯片是一个复杂的集成电路元器件，一颗指甲盖大小的芯片，采用了高端先进的5nm，4nm制程技术可以，可以容纳上百根晶体管。晶体管越多，计算能力越强，也意味着更强大的性能水准。
　　在传统的芯片制造产业中，提升芯片性能的方式有很多。要么是从供应链入手，由ASML提供更好的光刻机设备产品，要么是从芯片制造商作为切入点，提高芯片制程。
　　不过这些方法都离不开多方的协同配合，即便芯片制造商解决了制程问题，探索出更先进的芯片制造技术，如果没有半导体设备，材料供应商的配合，也很难完成芯片生产，更别说提高芯片性能了。
　　但眼下国产芯片需要解决的不仅仅是提升芯片性能问题，还得确保芯片产业的可持续进步。从国产化28nm到14nm，甚至更先进的制程技术，都有待长期探索。只是美国制定了芯片规则，在获取一些顶级的EUV光刻机设备方面有一定的变数。
　　所以该如何让芯片在没有EUV光刻机的参与下，还能取得更大的性能突破吗？有官媒正式发声，指出芯片封装技术可以绕过美禁令。
　　按此所说，封装技术会作为芯片反击的方式，那么什么是芯片封装技术呢？
　　芯片封装是芯片制造的后端产业，一颗芯片会经过设计，制造以及封装等环节。而封装环节需要将制造好的芯片用特殊的封装技术，固定在集成电路芯片所用的外壳，让芯片能够和其它电子元器件连接。
　　传统的封装工艺主要采用2D封装，但随着芯片制造技术的加强，也渐渐发展到2.5D以及3D封装。
　　在这些封装技术中，根据客户的需求，掌握封装能力的厂商，会采用不同的封装工艺。比如台积电为苹果封装M1 Ultra时，采用的封装工艺就是InFO-LSI。在InFO-LSI封装工艺的支持下，将两颗M1 MAX连接在一起，变成性能更强大的M1 Ultra。
　　所以这里又涉及到新的封装概念，也就是芯片堆叠。顾名思义，芯片堆叠就是将两颗芯片堆叠使用。虽然M1 Ultra是叠加组合使用，但是因为设备可容纳芯片空间面积更大，所以是平面展开。
　　如果设备容纳芯片面积有限，多半就要用3D封装，以节省芯片使用面积了。
　　总的来说，芯片封装的确是一项具有前瞻性的技术，目前台积电、三星、中芯国际等等都在参与布局。而中芯国际前副董事长蒋尚义说过，摩尔定律已经接近物理极限，但芯片工艺会一直走下去，先进封装就是后摩尔时代布局的技术。 芯片封装能延续摩尔定律吗？
　　以前大部分的芯片制造商通过布局先进工艺，大量采购ASML顶级的EUV光刻机设备，对先进制程投入巨额的研发资金，终于将先进工艺芯片发展到了5nm，4nm的程度。
　　三星已经量产出更先进的3nm，台积电也会在今年下半年实现3nm量产。但是官媒发声让我们意识到先进封装同样十分重要，就连芯片行业大佬蒋尚义也将先进封装定义为后摩尔时代应该布局的技术。那么芯片封装能延续摩尔定律吗？
　　从理论上来看，的确有这个可能性。因为封装技术本质上是改变芯片的安装方式，更大程度发挥芯片的效益。节省用于先进工艺资本开支的同时，也让封装产业缔造新的辉煌。
　　往后芯片制造商提升芯片性能不仅仅是采购EUV光刻机，如果能全面推进封装技术的芯片堆叠，把两颗芯片当作一颗芯片使用，性能岂不是刷新单颗芯片的纪录了。
　　摩尔定律认为，集成电路可容纳的晶体管每隔2年就会翻倍。按照芯片堆叠的概念，估计不需要两年，直接将两颗芯片堆叠在一起，就能实现翻倍的效果，因此摩尔定律的极限自然会延续下去。
　　当然，这条路还很漫长，目前摩尔定律尚未走到尽头。到2025年时期，ASML还会推出更先进的NA EUV光刻机，届时台积电，三星将全力攻克2nm芯片工艺。 写在最后
　　人类发展芯片的历史长达半个世纪，未来几十年，还能不能从传统的工艺路径取得更大的突破，我们不得而知。但芯片作为科技产业的基石，只是希望国产芯片能放大产业布局，正所谓条条道路通罗马，芯片封装或许就是通往罗马的一条道路。
　　对此，你们怎么看呢？欢迎留言和转发。