十年之中国半导体

　　通信产业的快速发展，以及新能源产业的快速渗透，对于芯片产业以及中国半导体行业来说，是其发展的机遇期，就在这短短的时间周期里，不仅仅是芯片本身，还有价值链相关工业产业链。
　　从已有数据可以看到，世界范围内的半导体产业已经在摩尔定律的约束下，基本实现了行业的头部集中，不论是从设计工具，还是IC设计，还是加工制造，还是原材料，以及测试封装，还有就是零部件和产品的落地应用上，不论是成熟制程下还是先进制程下，半导体和芯片产业，已经离不开知名的大公司。
　　不限于代工的台积电，三星，英特尔，联电以及格芯，还有中芯国际和紫光展锐，芯片领域的英特尔，高通，英伟达和AMD，还有成熟制程领域的英飞凌，德州仪器，意法半导体和瑞萨等，还有加工装备领域的ASML和尼康等，还有材料领域的硅棒和原材料等都在美日韩。
　　随着中国需求市场的快速发展，中国半导体以及芯片产业的崛起也在意料之中，但是其发展的速度和规模，距离世界水平，还存在一定的差异，特别是先进制程领域，虽然成熟制程可以解决中国产业近80以上的需求，但是在高端的智能终端上，需要的芯片和处理器能力倍增，对于后续的产业的发展方向，需要有更加清晰的认知，中国芯片和半导体需要从成熟制程逐步向上发展，不限于处理器，还有存储芯片和屏幕IC等等，以及电力电池需要的IGBT等功率半导体。
　　从中国半导体产业实际发展来说，半导体前道设备国产化替代发展，包括半导体装备晶圆制造，封装装备和测试装备，前道设备占据市场近8085，其中光刻机，刻蚀机和薄膜装备价值最大，从世界市场表现来看，光刻机市场占率阿斯麦（荷兰）占比91，日本尼康占6，日本佳能占3，刻蚀装备市场占有率美国泛林半导体占比52，日本东京电子占比20，美国应用材料占比18，其他占比10。从具体中国市场表现来说，光刻机232。3亿美元，国产化替代率1。1，包括上海微电子等，薄膜沉积设备242。2亿美元，国产化替代率5。7，包括拓荆科技，北方华创，盛美上海等，刻蚀装备222。2亿美元，国产化替代率22，包括中微公司，北方华创等，涂胶显影替代率1，清洗装备替代率38，化学机械抛光23，离子注入替代率3。1，量测设备国产化替代率3。6，热处理替代率28等等。
　　从实际进展来说，全产业链实现自主可控，可以将加工制程推进到28纳米以及14纳米，与先进制程3纳米以及2纳米相比，以及稳定的先进制程的7纳米和5纳米的角度，都是存在一定的制约性，导致了中国高端芯片产业很难有太多的SOC出品，比如华为海思等，基本都是在高通以及三星或联发科等上做选择，也导致了高端处理器领域，很难有突破性的发展和迭代。
　　通信产业的5G普及以及6G升级，对于智能化信息终端的升级换代，以及工业互联网和数字化转型，对于智能化和数字化上需要的海量算力，是处理器领域的重要机遇期，不论是互联网产业还是云服务产业，欧美日韩等先进信息技术的限制和壁垒，是近十年以及后续时间周期内需要突破的关键点。
　　第三代半导体需要逐步实现成熟制程的替代，以及全产业链的自主可控，对于信息产业应用以及新能源领域的高端化需求，需要在一定程度上，实现材料和技术的双向突破，使用成熟技术在先进制造方式的变革，比如拼接和堆叠等，都是在空间领域实现时间的差异，重点是弥补技术性能的短板，实现从0到1的过程，再实现广义上的先进性，类似三星在半导体领域的逆周期突破，以及显示屏幕领域的京东方等，还有存储领域的长江存储等。
　　一定意义上说，在半导体和芯片领域，机遇大有可为。