游戏规则改变者致态TiPlus71001TB评测

　　前言：
　　眼下全速PCIe 5.0 SSD尚未问世，而PCIe 4.0 SSD的辉煌盛世已经来临。致态率先推出了应用晶栈 （Xtacking）3.0的TiPlus7100，我们得以在主流级SSD上提前享受下代PCIe 5.0旗舰产品将要采用的全新闪存技术！
　　TiPlus7100包装盒右上角醒目的SATURATION是致态新提出的饱和概念（Saturate The Bus），它源于SATURATION FUNCTION饱和函数概念：到达临界值后，纵轴数值不再变化，趋于饱和。
　　当前四通道DRAMLess SSD的读取速度通常在5000MB/s左右，而TiPlus7100则能达到7000MB/s以上，令PCIe 4.0 x4接口的带宽优势得到完整体现。
　　致态TiPlus7100全容量型号均采用单面PCB设计，可以广泛地兼容台式机、轻薄笔记本和PS5游戏主机等硬件。
　　晶栈3.0架构：
　　SATURATION饱和理念仰赖的是长江存储晶栈 （Xtacking）3.0技术：致态TiPlus7100所用长江存储原厂闪存的IO接口提速50%，达到2400MT/s，主控只需四通道即可跑满PCIe 4.0 x4接口。
　　晶栈 Xtacking  技术在两片晶圆上分别完成CMOS外围电路和NAND存储阵列部分，然后通过金属互联通道VIAs进行键合。并行和模块设计制造提升研发效率并缩短了闪存生产周期。
　　TiPlus7100使用的闪存在CMOS外围电路部分使用了晶栈3.0架构：2400MT/s的IO传输速率相比上代产品（1600MT/s）提速50%。I/O接口提速帮助致态TiPlus7100用更少的闪存通道，实现更快的SSD读写速度。
　　除了I/O接口提速之外，长江存储还提升了闪存的写入性能。四通道设计的致态TiPlus7100 1TB缓外直写速度达到2000MB/s，和八通道设计的三星980PRO、西数SN850处于同一水平。致态TiPlus7100的问世，彻底改变了游戏规则：高性价比的主流级四通道SSD现在能够对八通道的旗舰级产品直接发起挑战。
　　SATURATION与闪存IO速度：
　　长江存储Xtacking晶栈技术从1.0发展到3.0，闪存的IO速度自800MT/s、1600MT/s，提升到了2400MT/s。闪存IO速度和闪存通道数量一起决定了SSD的顺序读写速度，虽然SATURATION是最近新提出的概念，但实际上长江存储致态一直以每代闪存都能帮助SSD跑满其外部接口带宽为目标。
　　上表展示了各种闪存配置下SSD内部带宽占外部接口带宽的百分比，超过100%意味着接口带宽饱和。SATURATION意味着用满接口带宽，不留性能遗憾。测试平台和软件信息：
　　测试平台：
　　CPU：AMD Ryzen 9 5900X
　　主板：Gigabyte X570 AORUS ELITE WIFI
　　内存：DDR4-3000
　　硬盘：Kingston KC2000 250GB（OS）
　　致态TiPlus7100 1TB
　　系统：Windows 11 22H2
　　驱动：stornvme
　　CrystalDiskInfo信息识别：
　　CDI能够识别NVMe固态硬盘的传输模式和标准SMART健康信息。致态TiPlus7100 1TB继续采用1024GB满容量设计，使用PCIe 4.0 x4接口、NVMe 1.4协议。
　　HWiNFO64硬件信息识别：TiPlus7100支持512字节MPS，在AMD锐龙平台上可以实现更高的PCIe传输效率，也是实现7400MB/s读速的关键。在最高支持256字节MPS的英特尔平台上，顺序读取速度将被限制到7200MB/s左右。
　　基准测试：
　　基准测试1：理论带宽测试
　　通过CrystalDiskMark可以测试SSD的理论读写性能。致态TiPlus7100 1TB的实测成绩为顺序读取7450.47MB/s，顺序写入6222.62MB/s；随机读取987K IOPS，随机写入895K IOPS。
　　尽管致态TiPlus7100使用的是DRAMLess（无DRAM缓存）设计，但理论读写性能已经和DRAMBased（带DRAM缓存）的PCIe 4.0旗舰级产品全面看齐。
　　基准测试2：PCMark 10完整系统盘基准测试
　　PCMark 10完整系统盘基准针对当代最新固态硬盘的广泛测试，涵盖了系统开机启动、Adobe设计套件应用、Office办公套件应用、图片/ISO文件拷贝复制、多个游戏加载过程等测试内容。测试需要至少80GB的硬盘空间，单次测试产生的写入量达到204GB，复杂度超过了PCMark 8存储测试。
　　致态TiPlus7100 1TB在PCMark 10完整系统盘基准测试中获得3511分，存储带宽552.58MB/s，平均存取时间47微秒。在致态TiPlus7100面前，现有的PCIe 4.0 DRAMLess产品将不堪一击，即便是带有DRAM缓存（DRAM Based）的旗舰级型号也未必能占到便宜。
　　基准测试3：3DMark存储性能测试
　　3DMark存储基准测试涵盖了战地5、使命召唤15：黑色行动4、守望先锋三款游戏的启动加载过程、在运行守望先锋的同时通过OBS记录1080P游戏视频、从EPIC平台安装天外世界、天外世界游戏进度保存以及将Steam游戏反恐精英：全球攻势从移动硬盘拷贝到系统盘的过程，涵盖了PC游戏玩家所能遇到的方方面面。
　　致态TiPlus7100 1TB在3DMark存储测试中取得3702分，存储带宽627.67MB/s，平均存取时间48微秒。凭借骄人的成绩，致态TiPlus7100 1TB轻松跻身旗舰级性能行列。进阶测试：
　　进阶测试项目1：SLC缓存测试
　　通过无文件系统条件下的IOMeter写入测试可以得知，在空盘条件下致态TiPlus7100 1TB可以提供大约160GB的SLC写入缓存空间。在SLC缓存外的TLC直写速度约为2000MB/s。
　　在使用IOMeter向盘内填入477GB数据后，致态TiPlus7100 1TB的可用SLC写入缓存空间在70到160GB之间（非固定）。
　　半盘状态下理论读写性能基本不变：
　　半盘状态下3DMark存储测试成绩3707分，相比空盘未下滑：
　　进阶测试项目2：温度压力测试
　　温度压力测试在被动散热条件下进行，目的是检验NVMe SSD在高工作负载下如何进行温度管理。当主控或闪存过热时，SSD主控将限制功率并将温度保持在安全范围之内。测试使用IOMeter进行，利用HWiNFO64每秒记录速度和温度信息。
　　23度室温被动散热条件下，温度压力测试开始113秒后温度达到73度，功率限制介入，读取速度下降到5000MB/s左右。限速25秒后温度下降至70度，限速解除。总体来看致态TiPlus7100的功耗控制还是非常不错的，对性能的影响较小。
　　进阶测试项目3：笔记本平台测试
　　将致态TiPlus7100 1TB安装在机械革命无界14（酷睿i5-12500H）上作为系统盘使用。笔记本启用安静模式，PCMark 10现代办公续航测试成绩为5小时44分，ASPM及APST节能特性工作正常，没有掉盘或卡顿问题。
　　总结：
　　单面PCB设计的TiPlus7100具备灵活的空间兼容性，能够满足笔记本、台式机以及PS5用户的PCIe 4.0扩容需要。凭借晶栈 （Xtacking）3.0技术创新带来的闪存优势，致态TiPlus7100的性能表现在同类DRAMLess产品中一枝独秀，展现出了媲美DRAMBased旗舰级产品的实力，成为游戏规则的改变者。
　　目前致态TiPlus7100已在京东和天猫开启预售，感兴趣的朋友不妨关注一下。