台积电宣布启动1。4nm芯片制程降维打击英特尔

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　　近日，台积电宣布启动1。4nm芯片制程工艺的开发，将在今年6月将其3nm工艺研发团队转为1。4nm工艺研发团队，与此同时，有消息称，三星对此也将采取相应措施。此番互动意味着先进工艺的技术竞争已经变得愈发激烈。
　　此前，三星在FoundryForum2021上宣布，将于2025年大规模生产2nm制程芯片。随后，三星负责人在董事会报告中提到在3nm的产能上已经得到重大改善，在逻辑面积效率上提高了45，功耗降低了50，在性能上提升了35。英特尔此前也宣布，将在2024年正式进入埃米时代，并推出第一个埃米时代的产品Intel20A。作为先进制程领域内（7nm及以下工艺制程）的台积电、三星、英特尔三家企业，竞争相当激烈。
　　随着芯片工艺尺寸进一步微缩，技术挑战也在不断增加，尽管困难重重，这三家企业在先进制程领域的投入丝毫没有降低。
　　2022年，台积电预计资本支出将达400亿美元至440亿美元，而7080的资本支出将用于先进工艺制程（7nm及以下工艺制程）；三星不仅计划在半导体方向投入超360亿美元，还宣称将在代工业务层面着力提高先进工艺的良率，力争2022年上半年通过第一代GAA工艺的量产通过技术保持领先；英特尔在2022年的资本开支或将高达280亿美元，甚至一度传出拟将3nm芯片委托给台积电代工，以提升其在更先进制程方面的竞争力。
　　目前来看，台积电和三星在先进芯片制造工艺上，处于世界前列，英特尔目前还在为了7纳米而努力，而台积电和三星的5纳米早已经实现量产。台积电良率更高，但是包括三星在内，美国还是力邀台积电和三星都去美国建设芯片厂。
　　然而时间已经过去了两年，台积电在台湾的3纳米工厂，都已经具备量产能力，但是在美国的5纳米工厂、设备都还没有导入。三星方面，其近年来的良率问题，一直制约着其与台积电的竞争，就连之前已经下单的客户，又转单台积电，例如高通。所以整体来看，三星和台积电到美国建厂，其实美国起码到现在，还没有获得多少实质的好处。
　　近日媒体报道：美国开始联合日本，一起研发2纳米等更先进的芯片工艺。也就是说，美国要对台积电在先进芯片制造工艺上发起挑战，在先进制程上期望未来可以占据主动权。
　　所以，台积电制定了新的规划，将其3纳米工艺研发团队，转战研发1。4纳米。美国在努力向着2纳米工艺前进，但是台积电直接向2纳米的下一代工艺发起挑战，说明台积电3纳米工艺已经比较成熟了，3纳米工艺的研发使命已经完成，攻坚1。4纳米工艺。这同时也意味着，台积电2纳米工艺有序进行。因为2纳米工艺是3纳米工艺和1。4纳米工艺间的重要跨越，但是台积电并没有将其3纳米研发团队，去助力2纳米研发团队，可见其技术将在密度和效能上领先。
　　美国英特尔近年来一直在希望重振其代工制造产业，根据其公布的工艺路线图，将在2025年、最早2024年推出18A工艺（18埃米、1。8纳米技术），但是，1。8纳米是一个尴尬的技术，因为按照工艺的发展节奏，都是按照0。7倍进行迭代。例如10纳米之后是7纳米，7纳米之后是5纳米，因此2纳米之后，就应该是1。4纳米，而不是1。8纳米。因此台积电进入1。4纳米工艺研发，就是对英特尔的一次降维打击，英特尔的技术将处于落后状态。也是对美日联合合作意图的明确表态。整体来看，美日要联合合作、对台积电发起了挑战，但是台积电有一定的竞争优势：3纳米稳定量产；2纳米在有序进行（美日刚刚开始合作）；研发1。4纳米领先英特尔的1。8纳米。
　　从历史上看，台积电从2017年的7纳米时从工艺制程技术方面超过英特尔，到如今它3纳米计划在今年下半年量产，订单已满，具有一定的竞争优势，主要得益于台积电的服务客户第一理念、代工文化、人才聚集、持续投资、优秀的企业管理，以及拥有张忠谋的战略领导力。
　　由于目前半导体的基本原理未变，芯片制造是项工程技术，它与生产线的协同管理及人才等有关，台积电在这方面占有一定优势，未来先进工艺制程技术竞争中，光刻占相当重要地位，而台积电与ASML在光刻技术方面合作很深很久。
　　只要台积电不犯策略性的大错，应该会保持一段时间领先地位，但客观地讲，在先进工艺制程等方面，由于釆用的设备一样，以及技术路线方面无大的差异，台积电与其他公司的差距会逐渐缩小。这也令台积电要快马加鞭！