美光宣布，已开始量产全球首款232层的3D TLC NAND闪存，采用领先行业的创新技术，为存储解决方案带来了前所未有的性能。与过往美光的NAND闪存芯粒相比，232层的NAND闪存有着业界最高的密度，并提供了更大的容量和更高的能效，从而为客户端到云端等数据密集型用例提供一流的支持。
　　美光的技术和产品执行副总裁Scott DeBoer表示，232层的NAND闪存是存储创新的分水岭，首次证明了生产中将NAND闪存扩展到200层以上的能力，该项突破性的技术需要广泛的创新，包括创建高纵横比结构的先进工艺能力、新型材料的进步以及基于176层NAND闪存在设计上的改进。
　　这款232层NAND闪存引入了业界最快的I/O速度，达到了2.4 GB/s，比176层的NAND闪存高出50%，同时写入带宽提升100%，读取带宽提升75%。同时还是全球首款量产的六平面TLC NAND闪存，不但比其他同类TLC NAND闪存有着更多的平面，而且每个平面都具有独立的读取能力。高I/O速度、低读写延迟和六平面架构相结合，使其能够提供一流的数据传输速度。
　　此外，美光的232层NAND闪存是首款支持NV-LPDDR4的产品，这是一种低压接口，与之前的I/O接口相比，每比特传输节省30%以上能耗。232层NAND闪存的紧凑外形为产品的设计提供了更多的灵活性，其每平方毫米TLC密度为14.6 Gb/mm²，比其他同类产品提高了35%到100%。另外，232层NAND闪存采用新的11.5 x 13.5 mm封装，尺寸比前几代产品减小了28%，使其成为市面上最小的高密度NAND闪存，能最大限度地减少电路板空间。
　　美光表示，232层3D TLC NAND闪存已经在其位于新加坡的工厂开始批量生产，首批芯粒将用于英睿达（Crucial）的消费端SSD，随后再供应给其他产品使用。

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