韩媒称台积电3nm良率仅有50，三星3nm良率已达完美水准

　　三星目前已经大幅提高了其最尖端的3nm制程的良率与产量，用以相抗衡也已正式大规模量产3nm制程的晶圆代工龙头台积电。
　　南韩三星在2022年6月底正式宣布量产采用GAA技术的3nm制程，而采用该制程的首家客户是中国的一家IC设计公司。不过，因为当时三星的3nm制程被爆出良率仅有10%-20%左右，使得其他潜在客户没有兴趣。不过，一位三星的高层指出，现阶段三星的3nm制程良率已经达到＂完美水准＂，而且也在毫不迟疑地开发第二代的3nm制程。
　　外媒：两者无法这样比较
　　台积电3纳米良率预估落在60%~70%，甚至是75%~80%，相比之下，三星3纳米良率实际只有10%~20%，且每片品质落差很大。外媒认为两者无法这样比较，且应该保守看台积电良率，因为台积电也尚未证实这件事。
　　台积电N3产量还有几件事需注意。首先，良率是针对台积电18 厂运行的商用晶圆计算，还是针对包含台积电客户各种IP 的商用和测试晶圆；再者，除了台积电和客户，没有人知道目前商用晶圆或测试晶圆的确切良率；最后是如果只考虑商业晶圆，目前台积电N3提供给初期用户的设计数量非常有限。
　　由于台积电主要开发先进制程，同时会考虑到大客户苹果的要求，所以初始良率高达80%并不足为奇，但如果是提供动力给大众市场产品，芯片良率60%可能不算太高。
　　目前台积电商业化生产的N3设计数量有限，加上良率数据是厂商和客户的商业机密，所以很难判断台积电N3良率是高还是低，三星也是如此，所以不应将台积电N3良率与三星3GAE 良率早期比较。
　　此外，考虑到初始N3节点（又称N3B）传闻，苹果可能是唯一采用此技术的公司，而其他开发商使用有改进过的N3E，所以早期N3良率可能不适用N3E，而且后者才是整个产业该关心的，因为将被广泛使用。
　　整体来说，台积电N3（N3B）、N3E、N3S、N3P 和N3X 都是非常不同的制程，早期N3良率对其他制程来说是好迹象，但不能保证其他制程也会成功或不成功。
　　三星已大幅提高3纳米芯片良率超过台积电
　　一位三星高管透露，三星电子的3纳米制程芯片良率已大幅提高。去年三星向中国无厂半导体公司交付3纳米芯片时，三星3纳米芯片的生产良率被猜测为保持在10%以内。而这位高管说，现在三星的第一代3纳米芯片达到了＂完美的＂产品良率。他还透露，三星正在开发第二代3纳米芯片，没有拖延。
　　报道中还强调，台积电的3nm制程仍然采用传统的FinFET技术，但三星的3nm制程则在行业中首次采用了GAA技术的节点制程工艺，能够大幅提升芯片的性能同时降低功耗。因此，三星3nm制程良率提升，表示该节点制程的成本大幅降低。
　　不过，对于类似的报道，韩国市场人士并不买账，称其数据明显被夸大，因为考虑到台积电给苹果供应3nm芯片的数量与时间，预估其良率不会超过50%。