英韧科技发布12纳米高性能DRAMlessPCIeGen4S
11月3日 失了心投稿 继2020年在全球范围内率先量产12纳米PCIe4。0SSD主控芯片RainierIG5236及IG5636(企业级)后,英韧科技于2021年9月7日发布Rainier系列全新产品12纳米高性能DRAMlessPCIeGen4SSD控制芯片RainierQX。
RainierQX采用四通道PCIeGen4接口,支持4个NAND通道,每个通道较多8个CE片选通道,全面支持NVMe1。4协议。RainierQX还具有以下优势:
1。采用业界领先的技术,通过独立平层访问,以实现较好的高速的读取访问,并在有限的芯片数量的情况下,有效提高4K随机读取性能高达1MIOPs以上;
2。顺序读取性能超过7GBs,顺序写入性能超过6GBs;
3。专有ECC解决方案采用先进的4KLDPC技术,为较新的TLC和QLC提供杰出的纠错能力,并提供功耗感知多级解码策略;
4。超大SSD容量高达4TB。
值得一提的是,RainierQX具有增强的12纳米FinFET设计的无DRAM架构,英韧科技董事长兼头席执行官吴子宁博士表示:在DRAM成本增加,PCOEM和渠道市场面临巨大成本压力的市场环境下,RainierQX将成为目前无DRAM控制器的优秀解决方案。
RainierQX在提供低功耗、实现更低BOM成本的同时,因采用业界较快的2400MTsNAND通道接口和专有数据路径加速器,仍可以提供与DRAM解决方案相同的峰值性能,这使得该方案明显优于同类产品中的其他解决方案。
自成立以来,英韧科技致力于通过提供高性能、低功耗、安全、可靠的存储控制芯片,解决人工智能和其他大数据应用中的数据存储和数据传输问题。面对市场的多元变化,英韧科技已做好充分准备,专注目标,持续深耕,赋能产业,助力存储技术的更快发展。
投诉 评论