比QLC闪存还渣FLC闪存即将浮出水面用户还能接受吗？

　　NAND 闪存从SLC 到MLC 再到TLC ，可以说一步步降低了成本，提升了容量，这是它们得以普及的关键。现在QLC 闪存在这一年中发展迅猛，大有抢TLC 风头的意味，而更渣的PLC 闪存也在路上了。
　　所谓  SLC   、  MLC   、  TLC   、  QLC   及  PLC   ，指的是闪存的类型，它们每个  cell   单元分别存放  1   、  2   、  3   、  4   、  5   位电荷，所以容量越来越大，但是代价就是写入速度越来越低，  P/E   寿命越来越渣  ，  QLC   的  P/E   次数宣传上有  1000   次，实际大概是几百次，  FLC   时代弄不好要跌到  100   次内了。
　　从消费者角度来说，  QLC   闪存都很难接受，更别提再渣一等的  PLC   闪存，这寿命和速度看着不让人放心。
　　但是闪存厂商对  PLC   闪存的研究早就开始了，随着  QLC   闪存发展的第三、第四代，目前性能、容量、可靠性算是维持住底线了，研发中的  FLC   闪存进入市场只是迟早的事。
　　从  Intel   之前的表态来看，  他们早就规划好  FLC   闪存了，好消息是其  3D PLC   闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构（  Floating Gate   ）  ，尽管当前  3D   闪存的主流结构是  Charge Trap   电荷捕获型，但  Intel   指出，浮栅型在读取干扰、数据保持期上更优秀。
　　三星、东芝、美光、  SK   海力士、西数等公司的  FLC   闪存也是箭在弦上，只是时间早晚的事。
　　FLC   闪存一定会被推到市场上，但是最终能不能被接受还不好说，    SINA   存储网络协会董事会成员  J Metz   认为  FLC   闪存在技术上是不可避免的，但他对其市场前景表示怀疑，特别是  TLC   闪存等成本不断下降的情况下。
　　根据  J Metz   的看法，阻碍  FLC   闪存的倒不是  FLC   本身缺点，而是厂商如果能在  TLC   或者  QLC   闪存上就做到需要的大容量、成本等指标，那就没必要去推  FLC   闪存，毕竟后者在技术、可靠性等方面确实需要更多投入。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】