KLEVVBOLTXDDR43600记忆体开箱铝製散热片DJR颗粒MIT製造

　　科赋 KLEVV 为韩国第三大企业 SK 集团中 ESSENCORE 旗下品牌，与半导体大厂 SK 海力士系出同门，产品都以高性价比在广受玩家所知。这次要开箱的 BOLT X DDR4 3600 记忆体在外观上没有绚烂的灯效，但存有铝製的低调，还留有足够的超频空间给玩家提升效能，并享受超频带来的乐趣。
　　规格：
　　类型：288 Pin DDR4 Unbuffered DIMM
　　容量：16GB(16GB x1, 8GB x2)
　　速度：3600 18-22-22-42 @1.35V
　　尺吋：(L) 133 x (W) 33 x (H) 6 mm
　　保修声明：终身有限保固
　　低调简约的黑色纯铝散热片外观
　　KLEVV BOLT X DDR4 3600在外包装上有着简约的设计，在右上角标示着记忆体容量与时脉。此次评测为 8GB 两条装共 16 GB 的版本，有着 3600 的高时脉，同时另有提供 16GB 单条包装的版本，玩家们能依据自身需求选购。
　　BOLT X DDR4 3600 的表面设计上也是走简约风格，在无光的设计下，以斜条状的压纹与几何图样替表面进行装饰。散热片的材质则选用了纯铝打造，兼顾了热导性与架构坚固度。
　　这款 BOLT X DDR4 3600 在颗粒上採用了 Hynix 去年新出的 DJR 颗粒，这款颗粒的超频能力有目共睹。在预设的 XMP 的设定中，时序为 18-22-22-42，而电压仅 1.35V，是一组不错的数值。
　　↑包装正面。
　　↑记忆体本体。
　　↑压纹设计。
　　容易超频的 Hynix DJR 颗粒
　　以热风枪加热后小心翼翼将外壳卸下，可以看到内部颗粒资讯与排列方式。BOLT X DDR4 採用单面颗粒的设定，每颗颗粒容量大小为 1024M ，总共八颗并组成单条 8G 的容量。
　　颗粒方面则为 ESSENCORE 自压的 E5AC8G8NDJR Z6C，可以得知是 SKHynix 所生产的 DJR 颗粒，因为是去年生产的新颗粒，还不能查到详细资讯，但从各方评测可得知超频能力高于俗称 C-DIE 的 CJR 颗粒。
　　↑拆解图。
　　↑ E5AC8G8NDJR Z6C 颗粒。
　　↑从记忆体背面可以看到为 10 层 PCB 设计。
　　在 Z490 平台进行性能测试
　　测试环节上，以最新的 Intel 10 代处理器进行测试。处理器为 i9-10900K，并在预设的频率下进行；主机板则是 ROG Strix Z490-E Gaming 并搭配 CORSAIR iCUE H100i RGB PRO XT 水冷排进行散热。
　　↑ BIOS 设定。
　　↑ AIDA 64 资讯。
　　测试频率上则先以时脉 2666 Mhz （这款主机板未超频的时脉上限）测试，在 AIDA64 上获得读取速度为 39175 MB/s、写入速度为 37952 MB/s、複製速度为 54718 MB/s、而延迟为 59.6 ns。
　　开启 XMP 的预设 3600 Mhz 时脉，并以时序 18-22-42 与 1.35v 的电压运行；经过测试后获得读取速度为 49678 MB/s、写入速度为 51025 MB/s、複製速度为 45550 MB/s、而延迟为 52.4 ns。
　　由于 Intel 在新的 10 代处理器上提高了记忆体超频门槛，经过多次测试后，笔者最终将频率时脉定在 4600 Mhz ，并且以时序 19-24-44 与 1.45v 的电压运行。在 AIDA64 上获得读取速度为 59836 MB/s、写入速度为 65828 MB/s、而延迟为 45.9 ns。
　　同时也进行 R20 渲染测试，时脉在 2666 Mhz、3600 Mhz、4600 Mhz下获得成绩分别在 6293pts、6375 pts、6379 pts。可以发现记忆体时脉确实会造成性能上的差异，但在 R20 当中不会到特别明显。
　　↑ 2666 Mhz。
　　↑ 3600 Mhz。
　　↑ 4600 Mhz。
　　总结
　　这次所评测的 KLEVV BOLT X DDR4 3600 记忆体，在 Z490 平台上的确有不错的超频能力，在测试当中不但能轻鬆破 4000Mhz 的频率，更高的时脉下无论是读取、写入、複製都有明显提升，延迟也随着时脉的提高而越来越低。
　　虽然此次评测最高只超到 4600Mhz 的时脉，但不排除是因为平台所限制。若使用针对超频作优化的主机板或 Ryzen 平台可能会获得更好的成绩，有兴趣的玩家不妨尝试看看。
　　来源: KLEVV BOLT X DDR4 3600 记忆体开箱 / 铝製散热片、DJR 颗粒、MIT 製造